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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › ADS設計LNA問題
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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
+ s  ]1 w/ t3 v8 d/ S9 q  [6 d
9 ?$ P+ N$ N6 p( F2 p$ J各位先進大家好0 d: \+ X: y" c; {

" C) z8 \, g5 n4 H( R: j5 P小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學. W. K0 T5 X' M  F8 T7 [

" r/ h2 x! L3 A/ u3 ~6 L其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
4 q$ ^3 Z9 m( c# P' I3 y2 ]4 r
! j- ]9 b2 u: d- Z3 B01.; \& G5 x- O2 f  G+ G7 E4 q

0 t3 r; t" K1 g8 u7 O  ~- Z架構圖如上，我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?5 K  W  x/ p8 G) N! ]

3 `/ h: s( h  s) p% ]
; F9 t1 [5 y. D/ K02.第二個疑問的地方在於電阻的部分，如下圖所示9 w$ |: Z* P' Z, C% {+ s7 q

7 s. d2 B3 q! h$ A# T
+ f" F4 Y. A% c. U& n6 n! ^# l我照著教學中的圖選用
: x- u6 M! V0 n
& z' D8 o: a5 ?TSMC_CM018RF_RES_RF
' L6 q3 E% N1 y7 t; ~! I7 UType=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)
) t" u* a" s7 G* {w=2 um( f' d% t9 M6 V
l=10 um$ }0 S! R3 a( H0 K4 {2 {( R
R=5626.13 Ohm$ M% p  a7 _( ^: W; E2 P' H# Y  T

. C9 S1 D3 _1 i: X* X但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um，不知道各位先進是否知道問題所在?% H( D* i# b5 X. T' c
* I0 f* B2 Q0 {( B) P. m  V
03.小弟目前是個研究生，全實驗室我是第一個要做RFIC的，所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits，裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機，翻了Design kits裏頭的檔案，發現居然沒有說明。
2 y- z" `3 q" ^& Y3 z
0 ]! c' ~4 j" c- ]0 M$ q4 f以上是我目前的一些問題，希望能有先進可為我解惑，感謝！) Z7 M. \  |( _- O% `+ F' z7 b3 U

. J1 e- W( z% h( D8 h  q教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
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3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
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4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
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5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
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6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
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rayjay
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!
1 M0 m/ Q! z/ \) d; ]6 e我的V8.1版，有註明3 V- \) Q& A, S
Type=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
4 t9 R+ N# V+ O1 Y& ^最長只能用到6.8um而已。
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rayjay
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下，您可以調整一下，8 _$ j  k9 i7 p- w' L
改為W=1，L=4.77，+ D+ D) L' H5 ]
會有最接近的值R=5628.28ohm。* b1 L3 R+ n) W4 i' E
也可以的。
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9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦，感謝二位回答！目前又遇到了另外一個問題
) O. T5 _9 C8 U4 f5 ]- m+ x/ t# U% L; G' D
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
7 q0 J0 c+ b9 ?/ g! Z# b5 Q0 o, ?* P5 V  q$ B
我現在的方法是跑one port的S參數，然後用Z11看虛部，但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說
3 m6 p# B' F& j: l6 V, T4 X
( O+ k5 {: j& m& z我的公式是這樣打的:6 ]/ L8 P, z3 d4 P
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)
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rayjay
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:
, Z9 v1 C/ h+ n7 |+ OLin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9
4 e8 R# M  r4 a/ Y( r* }* X你應該還會用到Q值的計算:
/ p& m9 g* l( jQ1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
, f  B! \) e' j  A0 ~+ n) D. f& [& p5 ?+ l* Y
其中，因為會用到Z參數，/ N9 \% E( \, |# }0 L* }+ T4 l
記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁，
6 l- P9 Y' j+ P4 w4 I把z-parematers打勾。
! |* Z+ F* V" l" {1 B以上，就可以了。
- P( x6 k3 ?* H  Y& u請享用~~
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11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
* `7 D7 T/ [3 x' x; s9 X) g" Q9 [7 {' H
不好意思想再請教個問題，在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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