ADS設計LNA問題

oscarf777xp

' N7 Z3 ]" G7 ]# @' X
4 |+ O% k  ?' {& G% C各位先進大家好

小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
, P4 f7 ]0 H, C# [4 O" s, s
其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
/ ]; W* t8 S: T% Z' ^: a8 T% ?1 p
01.
( J) x) `4 T5 P4 }# @
架構圖如上，我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?


02.第二個疑問的地方在於電阻的部分，如下圖所示
; h! p% R& b" m% ?3 J* U

: E- O. W4 x" W0 I我照著教學中的圖選用

" R; Y" L) F/ t1 ~TSMC_CM018RF_RES_RF
Type=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)
w=2 um
l=10 um
R=5626.13 Ohm

  U! g* q5 }  t但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um，不知道各位先進是否知道問題所在?

03.小弟目前是個研究生，全實驗室我是第一個要做RFIC的，所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits，裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機，翻了Design kits裏頭的檔案，發現居然沒有說明。
, F" m  ~/ N  z5 I! ~. s
; C4 t4 h, |4 C9 G$ v. M4 R6 r以上是我目前的一些問題，希望能有先進可為我解惑，感謝！

0 S5 k, t# _5 P8 Q$ a# p) [2 {+ ^教學的檔案為附件

oscarf777xp

沒人能替小弟我指點迷津嗎?

a1919kimo

第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~

a1919kimo

第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~

a1919kimo

第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~

a1919kimo

第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~

rayjay

你的model是舊版的吧!!!
我的V8.1版，有註明
# @& p5 o: o; A6 OType=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
& Z2 H# s, Q' \! E) z最長只能用到6.8um而已。

rayjay

試了一下，您可以調整一下，
& S$ B6 m. a4 \) d- c改為W=1，L=4.77，
$ V! R+ q; ]: b% w會有最接近的值R=5628.28ohm。
8 x& U) ^# k5 }% I也可以的。

oscarf777xp

哦，感謝二位回答！目前又遇到了另外一個問題
7 d% s. I, h, c! \2 A
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?

我現在的方法是跑one port的S參數，然後用Z11看虛部，但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說

$ W( s6 G% C2 j1 P2 e: U& s我的公式是這樣打的:
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)

rayjay

貼給你:
2 {8 v8 S& ^! {* e  ^Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9
& v0 L* B1 B0 S# X' m; ?1 C4 d你應該還會用到Q值的計算:
5 |! m: z: \  i; N# K( A" ^Q1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
9 ~; W5 t2 m6 v4 N: v) r9 x
其中，因為會用到Z參數，
4 q+ h, r$ \) |& |0 U2 I& r  C記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁，
把z-parematers打勾。
; z  }; R) \1 ~- p" r9 L以上，就可以了。
請享用~~

oscarf777xp

感謝rayjay大!!

不好意思想再請教個問題，在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?