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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯 / x# w7 k+ e0 j8 T/ S. \5 {
  w$ P' _  A1 g- [: A! I
各位先進大家好
) j3 C$ w7 ?( `6 L
/ B4 F' Z/ B% S9 R' x0 s$ K小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
0 U$ C. X4 K  D, Z
( {% U  Y* u. {2 g! {/ L其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
) C5 P# b, S4 }$ E' x
8 W# P3 L6 o. Z& ^6 k% N01.; h4 I2 O) t! @

& ]" M( O7 x4 U2 |$ g4 {架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
+ c1 X( {' A; _0 S
; [# a( c0 S1 t5 m4 u* ]" G" C
2 m0 r/ ?, E* m! d2 E1 [02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示
4 R# z, Y1 A/ ^  P  P0 }4 W2 w' f3 [, f1 B9 z* c% f

. h) a: N; F7 t. u" V) [5 A% |# v# Q( v我照著教學中的圖選用
3 M3 s0 B# d% t" x2 X5 n% f# r) p9 y$ p3 c  X: y
TSMC_CM018RF_RES_RF! A5 w" W0 z4 C% A5 \3 }# E& V& {
Type=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF); m* w$ [2 K$ o
w=2 um
  k, `0 @, [0 E8 s9 M; ]: M& Y7 ul=10 um4 V) e' f5 q: a( b
R=5626.13 Ohm
9 z- S9 a5 K! L: v$ U+ g3 Z! j/ G$ @
但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?3 d  Y+ ~1 Y* l' h8 p/ C* n

6 {8 w! e. R3 d  f4 ^03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。
. Q/ Y; v& O2 P( n4 Q: e$ g) f1 k" N- [" x! c4 w
以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!+ b% O0 q+ C' E# m! g
" E& c" ?, h2 x) |
教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!
* }; v3 O0 d2 j; E  s/ T. R# M我的V8.1版,有註明
8 S8 o- r/ k' n( U2 mType=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF7 r1 ~! Y! g& U! _
最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,) y% E* k; s6 D; q% B! O/ `  k
改為W=1,L=4.77,
( p2 b8 f" X3 H/ w# s8 ~會有最接近的值R=5628.28ohm。% A  p2 n$ w3 L- }; R& V
也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題7 {+ U* G$ X& \5 W

) s( B" `; [9 r3 ]使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
" u! W% K" d7 P, Q) j  {# }$ n2 x6 }3 W" v6 f7 m' L
我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說0 X* R) F4 k5 L) o$ z2 u0 b( ?
  S6 [+ g/ T! A/ w' V/ z- x
我的公式是這樣打的:! }& z+ N* R* Z8 ?
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:
, H% Q9 ?( F) F, a1 d0 X4 j' {Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+98 v4 {4 ]! Z8 l% x: ^8 Y7 H0 K+ j
你應該還會用到Q值的計算:
+ t/ F! U( Q5 w9 _/ I( Z1 G$ d+ J6 x3 BQ1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
+ D3 t, l" j3 o: r* w/ s: C  Y- [9 x6 C' a! [3 x9 ^
其中,因為會用到Z參數,
- Z( ]4 I# p7 \) u- N7 m記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,
* M. ]& M$ Q0 ~& d2 O! J: B把z-parematers打勾。
" }" N" `; }- l% `- ~/ s以上,就可以了。& o: C. _0 R. d  M3 C
請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!& n$ {5 x2 f! t4 I1 v0 c1 Z' }
! U" g; c6 P6 u0 e
不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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