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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
4 [; z! ~1 i* N: X8 m4 J
$ y  ~, c' Z* e* ~
# E# `) r. }! y" t! j6 k近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。4 w+ J# W5 v" M# J2 h0 T( Z/ p& q
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
8 Q9 r/ V* u' S" x, `6 v$ N但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、% P! r% |% W1 N# O: G
迷惑中....
" H1 J. ]: K- ~$ i如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?# i# H0 g! @: o& k0 @

; T2 @  g6 k3 S4 A7 u. z/ B* W

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?  k& }! ~, K7 {% X
# A9 m, e+ q/ R' o* x3 @
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,) Y; b7 l# G3 X
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
/ L) A% ?6 h) \( w5 [. u: w4 M+ K有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,/ }2 }5 Y6 u( e# J4 u
這也是現實上要考量的.
7 p3 Q; L) F! {+ X& o! u, U, S* j1 T$ q- n3 C
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
: M( Y0 x/ O% `, V: q不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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