請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
$ Q/ A2 x( j; }9 b畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
& ~+ x+ k; c2 r5 S! F要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
再圍上一層不同implant的Guardring
% D9 m/ E  m. ~/ ]0 l+ X- `以達到雙重保護的功能
7 e; [  J: R. s/ C
) Q+ L0 j2 S/ z# W例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR
1 ~0 a$ e  G7 U) q4 g0 X% H* l% U
9 d8 Z) _! l) Z9 [( O5 p  ~必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
+ G0 _  V' t( j! A3 c' K; {此圈Guardring必須加上NWELL
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

lxRules(
1 u8 q+ f, y4 ^8 O7 A
lxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
( f4 z& G8 O* b, L$ k  K;
; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
. i- [$ r! y' l) ~- p! E2 W& z[offset]
' [$ j) w# n& L5 h2 ^6 u7 l0 i; [connectivity])
# S. S; m$ T5 X+ I/ {+ @0 |' [;
3 J6 F; k2 h9 e2 S4 C; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
[endOffset]
1 N% I" C  G3 [- h' ]5 a3 C; [connectivity])
+ C' n$ S& @" v9 h5 @' Y& I/ u;
, l9 m. }  _9 w5 x8 p; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
0 n7 _. U" W9 k8 q$ p  [" [7 ^* c; [connectivity])
% u8 u4 T+ S4 ];
* N$ ^6 B* G7 I# i, ^  C9 T; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
; [connectivity])
" z7 V1 f) @5 z. y1 l& Z;
; connectivity:
& G5 `1 ]0 [0 y$ H; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
" _6 s! u9 I2 i& S' k; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
;
, t" ]$ Q# T4 `; T: v;( ---------------------------------------------------------------------
0 x) H/ \& H$ |; ~; ^5 x; M)

' O. X8 S/ }5 f  u/ `1 V5 P(PP_RING_ROW_1
(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
0 b# q8 ^* r' m5 [* A2 S3 E((("DIFF" "drawing") 0.02)
$ ~& R8 M+ F; u7 b7 x) P4 O4 E(("METAL1" "drawing") 0.06)
- b/ v5 F7 i+ E1 H)
+ O" b  T- F0 S& q, O5 w((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
) `4 R3 y( Y1 U2 h: ?0.28 -0.25 -0.25)
1 k, p+ c" k. Y8 J. l6 e9 U1 `)
1 X8 V- G  b9 o9 [- w9 V)
' ?5 c& X8 Z  r, q7 h..... any other MPP define..
..... ....
..... ...

2 S, C4 F: v; P2 W) ; end MPP
7 L/ y+ l* Y3 ]2 @3 u0 }" e1 k.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
& [% e. b3 h# a' C( d8 f圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
0 U$ B, m6 b6 i! q, S，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
3 f2 D0 t2 P8 t1 aPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
0 b& P$ U, H4 Z2 E, r8 N
9 a6 J8 P8 `5 w" ]- P8 O目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

1 V$ F8 L; z5 }1 d$ T2 \ 共勉.

yalon

總知 !!
- f$ i. H  X  r2 XNGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

" N; ~& [( k" |! j- U2 O 共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
直接ＬＡＯＤ就可以用了
  O" \' y' v4 hＤＩＦＦ
2 t- v. Y/ D7 n% w# pＰＩＭＰ
ＭＥＴＡＬ１
5 e: t" B0 T* W3 G9 N( Y$ |ＣＯＮＴ
1 Z: M. m) y" }ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱

$ X* s# k% ^! E3 b! b1 A[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
( n; p! [, D8 g3 v) F6 s. hload后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

8 X1 Y4 U# T5 K- y5 T# ]" p想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

7 A0 \* E; H- r' Z( @8 ^5 m碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接