Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 9670|回復: 15
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請問layout後的電流

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2011-5-6 16:35:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
您好
- r! J5 j, q4 v- K; c4 }* q* p- `" t# Z; e- P1 E, [
我設計完一顆opa(cascode_opa)
2 v' U) p- D  O% Y$ ipre_sim時,輸入端上方的主電流是40uA
8 @: E& L+ @, t6 K% [( q差動端電流各20uA& E1 ^3 D% o" B0 o9 H- Y5 f. c
0 r9 v# I) @1 {& L# B3 `7 F
但是pro_sim後的主電流卻變只剩10uA
' u8 G, ]5 B, Q) x0 X差動端只有2.5uA6 W! E7 V3 E* t/ N
& n7 s) N0 L( W+ r1 c
請問這是layout上的問題嗎?; i- D: b/ l9 k" K5 N
po一張部份圖請教各位!
: |$ x$ }, b0 W' F3 M* L& U5 k7 Q, y. e( ?+ M- P6 |. y# O
下面是差動開關
  O; F6 T& x' R$ m7 s上面中間是主動流源

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂1 踩 分享分享
2#
發表於 2011-5-6 18:37:53 | 只看該作者
那RE LAYOUT吧,POLY當導線是可以,但是用在OP,,考量點會不同,還有蠻多可以改善的。
3#
發表於 2011-5-7 00:06:34 | 只看該作者
不知道你有沒有電路圖跟他的size$ b: U* y: B$ `5 F0 T) T

8 ?( {) d8 }0 w0 G有的話可以貼起來,小弟實力還不夠,
4 [3 [. ?/ `/ d1 v, E: T+ k; E
. i% C+ ^9 V/ Q' m/ l. S需要電路圖跟他的size才可以做一些比對,謝謝。
4#
 樓主| 發表於 2011-5-9 16:08:40 | 只看該作者
那RE LAYOUT吧,POLY當導線是可以,但是用在OP,,考量點會不同,還有蠻多可以改善的。 ...$ ?8 C, b* D8 Z% H. q
ONLYFLYSKY 發表於 2011-5-6 06:37 PM
, H4 t9 s( N2 [( h

7 G. ?1 p% L( M
9 A  ~( t' H7 u9 S& x# i
+ x* B$ x9 k5 D" \# L: G
+ R6 V2 i2 @0 N7 f
) W1 V/ o& I2 U3 Y& b5 c, r您好- P9 j; t) \% a" [) S
% l, u" U' A9 V0 \0 Z  h- u
一開始沒有注意到我用到poly連' `1 K0 l/ G% }& I

$ a& w1 J, O! s/ J# d但後來我把gate端的地方改用metal連接,可是好像沒有比較好耶!$ m' b  [5 q  V9 k+ I! O) T, P
結果是一樣的~! k$ E' G$ k8 O( ^, B2 ~7 x6 O, H8 \* l

; u$ [3 v5 j6 B5 t! g可以給個建議嗎?(應該不至於會差到這麼大)  @4 \# n# u- \- p$ x
+ D3 c4 {! n5 P1 E& e
而這種layout排法我是參考一本交大電資,所教導的佈局方法!
5#
發表於 2011-5-9 17:13:18 | 只看該作者
你好小弟不是RD,我認為LAYOUT影響的不大% C4 I; W. x. R/ T
不過看一下LAYOUT我覺得可以把GUARD RING上端處加粗畢竟從MOS的角度來看若是希望MOS DRIVERING能力夠強,則會加大他的WIDTH
" V6 e0 B$ F4 R6 w3 s但是光加大MOS,但源頭不夠粗相對IR DROP則也會比較大,若還是沒差很多看你LAYOUT並沒有其他會影響結果很大處
' X; L1 B8 _$ F2 F: K* g; }% g6 j0 U8 b8 K
以上是小弟的淺見,若沒幫助還請見諒
6#
發表於 2011-5-9 17:18:53 | 只看該作者
抱歉剛英文打錯是driving 不是drivering
2 A; N" f! }! @3 S- L! y8 c7 r" `* T' X1 z/ U
RD給我的觀念( C8 B- r; {! S) M3 i2 ?$ D+ }

5 D& S: m1 Q- W5 w6 K% S: k/ H->GATE不吃電
7#
 樓主| 發表於 2011-5-9 19:23:34 | 只看該作者
抱歉剛英文打錯是driving 不是drivering' ?2 ], ~: h2 r7 F- B
- q0 z# }" Q" b; \4 J" _. w
RD給我的觀念- I* ~+ s7 T5 I/ m  B  ]' d

8 J: ?; K6 s% s  U0 u/ a! F( Q->GATE不吃電
& ]; |" o" Q$ \& ]) ih2off0202 發表於 2011-5-9 05:18 PM

4 V$ _  m$ ]: U+ K9 ^# y: H& i, o6 b7 z: s2 y
* d9 O$ d, H7 N+ }3 H
您好( I6 v1 y, M* ?& _. D- i  U
. Y" a* R5 L) Y3 Q- Z& F
所謂的不吃電是指不吃電流是吧?, H: A' D% r6 U5 U, R+ m' _
這個我清楚9 W4 `  P: _. ^* B! ^

4 C' Z) s1 T7 B0 c" @! U7 x8 c所以說再prosim時vdd就要加大來試嚕?, ~$ C$ Q2 y0 J- _% A& r% U8 t
我試看看!) Y& Q$ n' }9 u; {! e2 L

; F1 {; e( w9 O! s: W2 p目前正改架構
" Z% d( ]' k" b( h7 W/ Q! [& B1 U! i$ `
謝謝您1 K) T3 I) L6 V- x+ q: M9 u
若有更新的想法也麻煩您
8#
發表於 2011-5-10 11:59:23 | 只看該作者
不Match  容易受製成變異影響
9#
 樓主| 發表於 2011-5-14 12:17:12 | 只看該作者
回復 8# shkao0201 2 y- K6 Z  m- \* p$ L! T; h/ Z
1 V# {6 g4 I" }/ f) d/ N  ?
6 m6 E8 x4 _1 y7 {5 ]! d

6 s# d3 Z; G# m. W
6 v; o4 m' R1 w2 T    可是我現在的問題是layout後的電流變好小!
10#
發表於 2011-5-14 20:45:11 | 只看該作者
Power 是否給足夠?Routing Metal Width 足夠嗎
11#
發表於 2011-5-30 20:56:37 | 只看該作者
回復 4# bernie820
6 @: |8 X, |) p+ O; `  J
3 F) ]' I0 y: t+ q% C5 h! o) x9 e! s& d9 e# |  K. W& {5 g
    嗯,說真的,: R+ T  e% e7 P4 N2 \
該要圍的地方沒圍,\( s$ C9 D; R4 f
重要的結點是否將電流供應量考慮進來,--->線經大小影響你的輸出/入電流,
: }9 r8 F2 ^, D  j0 B% P% G3 r電源供應量是否足夠,( D( c1 @5 ?+ b2 T

" M1 e$ \! C2 B拿到的參考資料是多久之前的資料,/ `; S0 k" E$ d) c
參考資料是否符合目前您所用的製程,; a: U3 ]' U6 \" e2 x0 v
3 v8 U8 i6 z  c& n7 q8 S
對於目前使用的製程,所選用的材質參數是否有考慮進來。& J: k. ^  R5 x% K0 r) o
2 \! U1 @+ r/ r. d( v! P, E% ~
請再付上您的電路圖。  p/ q% L1 E; T( o  I- o* Q2 b

, B5 a2 e1 q6 G) J$ Y以上觀點,參考看看。
12#
發表於 2011-6-1 20:21:28 | 只看該作者
回復 6# h2off0202
* O- @9 e6 p7 A8 b! k- J
* j+ L% R4 X- s" D( X; l1 }% W4 d: }. e
    您的講法有誤點,& t$ c$ D+ S! d

5 @) h1 u& H9 U( GPOLY不吃電,那意思是用POLY當電阻時也不吃電囉,那POLY電阻畫大畫小都沒有差囉。; B' E9 x5 t5 G, p5 p+ K6 k3 Y; b2 A
. g9 Z0 y$ F$ L5 h& h: ]+ m6 ~8 Z
POLY電阻是會吃電的。+ M) ~. R/ Z0 F# j. X0 s
% \, S& P" R2 \/ V! j
不吃電是指,當MOS元件在不導通時,SD間經過的電流受到GATE的控制而不會有所謂的能量的消耗,而對於大元件的MOSPOLY的阻值是有一定程度的傳導速度影響,要怎麻解決請照一般的COMMAND SENCE來解決。' J5 o1 w5 E9 ]9 t

* |" J1 v2 O2 J8 s; E, `7 }; t吃電,這名詞,我的感覺並不是單指所謂的電流或電壓,而是能量,P=V*I。----->這基本電學有教。
13#
發表於 2011-11-24 19:11:36 | 只看該作者
我也覺得power 太小 能不能鋪上一片VDD去跑post-sim
14#
發表於 2012-5-12 21:45:06 | 只看該作者
你的製成是什麼的阿?很不一樣ㄟ!!
15#
發表於 2012-5-13 20:48:48 | 只看該作者
謝謝大家的分享!!小弟會虛心受教!!
16#
發表於 2012-5-21 10:14:22 | 只看該作者
你的METAL 有二層可以畫~~所以在上面一排SOURCE 端鋪METAL2 接POWER,要粗最好是MOS WIDTH 的一半$ S, |7 Z' M* P9 k$ l( w
! d, J, R9 ^" w* u1 |1 G1 a/ m* }( T
下面那一排MOS OUTPUT鋪METAL2輸出,一樣是MOS WIDTH 一半
6 ]6 l7 f# X6 P0 M3 O6 d6 y" P& W7 Q+ m
試試看~~
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-5 03:34 PM , Processed in 0.138018 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表