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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring; d' n9 X' j# V% K+ s4 n% W- h
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,
, q7 C4 y2 @( m1 A$ `$ E! a/ a畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp6 ^) m. d" V: _; _; A
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR! w6 h3 i" o& M4 u- x
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,- R! x3 C% u6 Y
NGR就是metel+cont+diff+np,* o1 m- e, T" v8 h# d) f$ J
PGR就是metel+cont+diff+pp,. a  s  V) W$ O6 p
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住," x( Z, E8 J! w- Z3 N) ]+ }  t/ f
GR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
/ P8 Z+ H7 f& `: C: ?$ x  r0 V再圍上一層不同implant的Guardring, p7 i! ^. K* ]( N
以達到雙重保護的功能1 Q' Q* f3 X; ~

( V) l8 {1 h# j+ \  h8 @0 s例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
! e. P* R4 H" `2 z; G# n  R再圍第二圈 就是PGR
0 I. J, P4 {- s! ]) f1 l5 l' E
, j0 c& }0 T) U9 Y+ Q3 L必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候) s& y# z8 ]4 j3 X, j1 N
此圈Guardring必須加上NWELL3 Z2 T- Q$ G0 M" w
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring7 q1 b/ J' l* t# f7 e/ E
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring0 Z6 {, Q) z  I& f3 ]- |+ n
在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用( M2 g( x& G( ^6 K5 ]

0 V0 A/ E6 T; j& GlxRules(
& i+ c) k5 y6 H+ y: o
* p1 G9 K* B2 I  T- L3 k8 ilxMPPTemplates(
$ {/ a5 E3 I9 J  \. k+ y;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )/ q8 W  i$ L  H% M) r# a
;
  c/ v* r) u8 p; masterPath:
: K' x$ p( a; F; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
% _5 t8 E4 ]) }$ N[offset]( j3 `+ r" z" T: H
; [connectivity])( H6 M5 P' X7 n
;
' N; n5 ]/ e1 U' i1 @8 b3 u; offsetSubpaths:
4 V# Q& |8 t$ q; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]' |; X! r( N; L4 C! w' C
[endOffset]4 s& Z6 I$ \6 I7 U. N3 m, h- x
; [connectivity])7 F  R+ ~% K+ c- U* C1 x1 {7 u/ k. B
;
* K) y- ?' H! z5 ~) p( J2 u; encSubPaths:+ }$ D& I4 l7 E; L+ Q+ z4 p8 S8 w
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]; o+ J1 @7 I6 u0 o5 i2 B# E
; [connectivity])' [* d* d0 h/ a! D
;5 g. O6 U+ D1 Q& Y9 q% w/ V# f" N( r
; subRects:; y$ b) H5 v; C2 i# R8 x5 V& A
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]; X- T7 E% Z: }- ?) A& j9 Q
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
) y- o3 T% [9 W  d1 t; [connectivity])
$ T" Z* {( O* F2 L: j% X;
6 J6 c* X6 r& _+ |1 y& b; connectivity:; l% W! P2 c- q
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]0 `: h: b$ g; n5 p; R5 k
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
/ e  ^9 ?$ G: x1 o; [refHandle] [offset])! E# p6 k, n8 Q5 ?- F
;
7 Y7 I" J% |1 R# B3 \5 l. ~: N1 F;( ---------------------------------------------------------------------* ~3 J2 I* B7 C# u+ ^
)
/ ^+ v6 Q5 \( k) s. t) ]6 D4 k5 t3 R! o' N5 k" t
(PP_RING_ROW_1
$ }! [5 z+ j+ k8 T( y; W(("PIMP" "drawing") 0.46)
5 O' n0 {/ W; C# J5 Z* }nil# T" _4 G& b* f6 H  m$ ~7 `
((("DIFF" "drawing") 0.02)
! K( j( F* F0 f4 F5 a7 G5 ~(("METAL1" "drawing") 0.06)2 ]# d$ ]# H; V: w5 g
)
$ c, ^  P) s# ?9 A, o((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
) j8 A1 e# o  i8 \* A4 [( s0.28 -0.25 -0.25)
7 O2 X' l3 R' \+ [- b- Y  ~)
- `# S5 f) p% b! h)
8 H% F! \# S: w7 s/ ^% t9 T..... any other MPP define..+ Q1 x6 D/ A# f% |$ y
..... ....
" I# D2 s" z' N..... ...
7 x. o: h) R9 b' Z4 d; i" W, \) T# o; S9 p
) ; end MPP4 j! ^9 l! U' P+ J+ S8 B) a
.... other class) I) O3 _2 Z  O1 S$ N
...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,* B8 h0 o8 T6 Q
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,
& g& l, ~' ~8 G: B/ I# O/ K' Z1 p圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用. x8 V! z% u& d+ \3 e2 \
,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
" H- F0 X& u+ x, y' P- E  n謝謝
! P9 `7 j( T9 N5 S~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!
: T2 O, V& F7 T8 JNGR n-diff 就須接最高電位.3 e" q8 O; g8 ~' B1 e9 M; N
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
1 u& d. U! J  o' p- e$ a
! }& b/ z- X1 @- Z. p5 ]目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
" k+ v; S/ b+ W/ Q0 V% [/ `7 E! A7 p. J$ P, n" G4 f
共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
+ D, j: h1 s; E3 f: Z1 P$ o. INGR n-diff 就須接最高電位.0 i0 i) h  J# a4 G) y& }
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.4 G6 Z0 q  }# s4 Z) i
$ e) n* _) a! x2 N' R% f2 p2 F  G1 e' J
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
" o5 |' t2 V. e7 T# D
% R2 E7 j' ?6 Z1 t6 l- @ 共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
- |' n3 ~, g# I' Y. [* r3 ?直接LAOD就可以用了
) e2 z' _% |" t# O' E( T1 ?DIFF9 b) V7 \/ C4 z# T
PIMP
& o6 y$ ^% {% r" y- Q1 L1 _5 xMETAL1
7 d4 a! T! v( M3 [CONT
2 P8 Y" M- l2 O! ~LAYER請設定成以上名稱3 E" ^; I4 |; T7 K3 S: g- y
6 x9 P8 x2 d7 W
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?
, O! @! C- s$ x0 [$ X9 mload后如何操作?: w& H( b0 x5 j7 N  W1 y
谢谢了
- ^* [7 E" c, g. ?这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。3 e" g7 H; Q! A: ^

* d2 |7 _1 \1 V) U: m: {6 d$ d8 R想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
. m% p8 @% ^& Y9 Y- M7 h; t- p2 }% p' E% w$ `: g1 {1 K" z- i+ C
碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
6 S  n5 ]. t) C$ n非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的4 v1 @+ l4 a8 R+ Z4 j
不能亂接
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