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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.4 T5 u6 @) u# f6 r: j2 Q# ^% }
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
/ @0 ]+ i2 b9 K! c0 |) Y' d: p, o
. c9 r( Z+ @; _+ L  j& EEsd test summary:0 f2 A- [. P$ G% I: L! y% Z

3 L/ \' p! t$ x9 C+ z  wESD TEST 9 [) p1 x( x. v( |
& [  h2 T$ k  Y, b

, n4 J6 n5 d$ mPAD5 X: |% u+ X& f5 @! i* J( F

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
1 d* g0 `8 v% J- F' p+ d2 l) o3 o  d( a* s  s! _) M" y+ [: @
整體佈局
5 V* T, P" R5 B
5 r2 m, D2 n2 U5 i- w. ppad    layout
0 ~, w( [) J1 D: c" Z0 Xvdd&pin 28-38,1  esd protection4 A5 Z+ M5 ?. u& A( p
  U: J$ x& P4 D8 z* N
pad 39 40 esd  protection
. k' [! J1 ^5 L8 W# ~8 U. {  h' `% s4 K8 O0 x1 x; S# t5 t  e- d
gnd &pad7-14 esd  protection: d5 I* F8 Y  t2 }

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
+ f9 Y8 v2 Y3 I; a# ]! l, Y; q- q9 }' d' c1 Y# W) s, v3 f2 T
2 I% W  k) V4 h6 k& H$ M$ v7 s: J
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 6 ]  [/ z0 Q! T3 S0 y

: h1 A* r1 r5 s
/ `2 n0 R. K7 ?) C+ I輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong , h6 J8 }) T8 l* I! ~4 e8 I8 L
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
0 Z  x$ y0 i# R+ R: W  ], f0 S5 U! @0 Z8 H6 f1 f" L# W
9 i* `! p% ^( Q$ F4 ?
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong& C$ v2 a6 k5 {! b/ o) E5 U4 S8 U
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 ! C. t  R2 ~/ b0 d4 H
6 d$ M2 p/ x: J( W( O
7 `+ T+ W1 y) b/ p  U, D3 {
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 - y5 W* E+ ]- }4 L2 K  ~
6 d/ C- [$ A0 n" q
回復 12# jian1712 8 G( a7 Z) p8 N8 u# `) }5 v# p
2 J; Y  E% j# l: ?! F# y1 N1 @

% n, g8 _5 C+ {/ n- q$ j9 T; m% c+ m    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。7 {. ~. @' B8 ?* [& L& V7 K
0 ]# h8 `; {/ B6 v

& P+ Z! o; l3 b* F' A; h7 S% F  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
: ^4 S% C! _! c5 M  J8 ?: w$ Y* j# t/ P# |: A3 {  d; x
8 s) x3 g3 J5 P: _# W, d" \" g/ U2 A
    2 f7 i2 j& ]( @- {

3 A& r, I5 F4 E  j  ^: {: m  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun 1 q( r7 w: `  S0 U- B$ z. b7 g
! a- t7 d3 C- [4 L4 _5 k0 P) L$ h

6 e: D7 X" z; T1 l) C    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,0 {$ A7 [& Q6 ~. H, n( Y
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
2 C# i, w+ c9 i6 w& _2 y. b這是相當容易造成gate端燒燬,/ H* e8 B. D; Y  m6 C- T2 C* |  D
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好," t2 q% E/ f9 q, Z6 Q- F; A
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,5 d+ c9 E/ o6 o$ l+ Q+ I1 ]1 G
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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