ESD失效分析求助

andyjackcao · 發表於 2010-11-20 14:59:18

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim · 發表於 2011-1-18 14:32:02

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao · 發表於 2011-3-27 11:34:00

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:9 L/ `1 \) J4 W7 E4 H
1. 請問製程為何?" F1 u" V: z/ n; b3 ^5 y* s
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, x0 ^ p! _) p: {+ n, F* Cklim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um

2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme · 發表於 2012-2-12 13:41:58

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao · 發表於 2012-3-13 20:20:27

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000 · 發表於 2012-7-12 12:21:25

how to resolved it????

andyjackcao · 發表於 2012-8-21 21:40:30

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070 · 發表於 2013-10-13 02:30:06

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎

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