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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# x' M/ X% A: e0 V3 e5 ?& K; u8 F# g4 l0 E
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% H) o9 P0 l, S! W) R大部分是要match
. F. O) }) h4 `9 k5 L3 c" O2 _Metal poly  density  不夠
$ k# T1 s1 {2 Z  S% {! W加ㄉ那些也較 DUMMY 6 c6 x5 T: q2 b
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 ^9 ?8 D& c# D; g6 E9 k3 h3 G8 s$ `4 v4 A. z, J

5 Z( F2 L# Z& F4 j, S' g& Q$ t    感謝樓上的大大
6 ?0 W/ M& p+ q+ ~. s! \   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 F: A0 d9 V! e, Q. i
2 U! i! P4 c; K, Z& ~+ h" T5 o% t1 V2 ?
    感謝您回覆的這麼的詳細
7 b5 r( U1 P9 ^8 A您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" J/ d$ h2 Y$ `' i6 u
! H3 G* q7 P+ l# b0 D4 ]9 ^/ [
不過簡單來說3 D0 [$ o8 r, h+ @4 ?" Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件8 Y3 k! K" C* @
而特性就被損壞8 E5 E5 p7 ?$ b! X

9 L4 ]4 M# d( \" Q; K( X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. V: S5 M4 z( i8 c5 q
所以蝕刻吃他最多
4 ?8 z6 D' ?( ^( V9 @5 P! ~主要部份特性就不會被破壞
, g5 |6 c7 m4 V+ Q% v: v
0 R8 b) o* Z$ S% q) V: v  w5 @& O. l很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ |2 z0 ~3 d) h! x
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 y1 z' v/ ?0 l5 ]% K# J

2 L1 }/ B: b9 l! H0 q/ ~又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 F+ C; C! m' b, d, G
還有電容也要加3 F0 G: d# a* s- t
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& b. ~9 q3 @/ k# L
, O3 p. |3 y' n" w& C/ [
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ Z: J" s; t4 Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" B$ w- F5 Z! B8 R1 X( c* ]! R4 e. [5 D* Z4 p+ t
* t) v! T4 I0 b8 T8 |: }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: h6 I' ^% _% s7 E0 o+ L) j& ?7 T# H  q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( k7 \( t- c% [7 e

: @1 h/ T& S3 Q4 m4 @1 T, O1 _數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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