ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2 W* J0 O9 X0 {4 u" p) t) q2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
, h$ @. V9 d- Q5 Y电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
. `* B) S$ i% s失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
9 Y" U) m4 `' \7 g& j1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
) ^! M2 X6 r' `8 v9 ^3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
- N; y, D2 @1 T$ m1. 請問製程為何?
+ H6 y7 t4 b" g) k0 q9 p: F. j2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

$ u) L. J/ S6 C: Y$ f
1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
  s" E1 _* Y  i! s
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
+ y; l  v  \% J6 m, |7 ~两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
  T! z+ \# L& ?$ G+ D( W  i8 p
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
" d& Y' H4 I! f9 e# J; j  L均勻是指什麼
- \+ M$ g+ N% B8 }! g5 Y, k! E- i方便貼圖上來嗎