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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.# a0 ?0 \. K3 c/ I; \+ T4 G
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。. r0 Z+ @- w& Y' L/ K
; L' t& `5 Q. X) Q% O
Esd test summary:% E9 T1 c5 V8 U8 H
' ~) m1 Q( }' I/ r
ESD TEST # ~% U0 ~5 Q- G& m4 |0 c2 R

# N' f$ X% m0 L9 H- b; X% C8 w  }' T
PAD
: N6 @* o8 R9 ^2 p

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong 5 f2 J7 N8 ~$ ^+ N1 B7 T8 K3 q1 |
2 I( \0 }1 b$ V5 L
整體佈局
8 @: ~  k4 C/ Y+ S" S% v$ l; v* d" H
pad    layout
& N+ m. R9 I/ }3 a5 D; g' {" A0 R( lvdd&pin 28-38,1  esd protection4 V5 v$ s& |; I$ Y; |1 T; I

) E( G: J: D" spad 39 40 esd  protection- g# P2 r2 G$ R

5 d& ?$ E: Y: x. U5 _3 jgnd &pad7-14 esd  protection5 m, o0 d, O! n" A! m5 J' h6 H

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
8 t& v7 m; \8 f, I/ c4 q; e+ n2 G/ [* t/ X2 N

1 K  I' _. j9 `) u- G    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? - P. u$ Z/ [; B9 u
# d, l" [$ t- ?- P! L, K
- s' b$ R3 G+ k# p
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
0 J% j  }( ?: D0 f) Y可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 7 O+ O1 Q% n5 |+ [, O. a
, \6 C) f& C8 x4 R

: @8 I+ ~/ w: W' {& N$ P   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
. b8 e; L2 b5 P1 W' V5 T) F我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 0 K* L- i  [# b' V; w

$ z% Q+ E7 w4 O1 h. S( f% D% P4 i# k! i/ h! e. w" Z9 S: Y0 C1 U; x
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 : F' g" h; r* Z8 E

. D" b: n& \  G$ I5 z/ `% o回復 12# jian1712   K& F3 ^2 Z% B: e5 l
' _* _% \& N8 X, T/ t" N( @
: p/ c; F( l' _% V6 v1 B) p3 ]* O
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。* P* M" r1 |* t. @" @4 _+ V

( a, `0 d& H7 n: ]! E, Y
- X- N3 X& F" y2 W- m! _# h! z4 i( W9 R  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 * b, N8 k2 d! I7 E  U6 J! [2 \
  |4 J! {' v& }' D0 P1 X1 p+ R
4 \9 T* B; P, z* ]; @, a
   
% \) P+ S; F& y$ {9 }- r: O; D, H) I! T) T' t: B2 x, L6 |
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun   r; M2 j# N$ w1 Y) O  a8 r

# I% T/ t$ o( |6 v& ~: I( R7 [7 b$ S5 u3 `, S9 _
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,6 c! Z. a# }8 J' w  A2 H, y% a
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,: F4 K  e( n/ {+ S
這是相當容易造成gate端燒燬,9 U% h: n$ F% b, M6 c$ o0 y- e1 r
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
# ]& n3 @5 G# ]. {: \. C& w. ?  r而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
$ d, W& v% y* x6 H, R如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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