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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.1 N& l4 b5 r4 l# ~6 c' l2 `
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
+ Q* D$ ?% _7 b& d8 @
% x0 I* y. T9 `0 W/ @* mEsd test summary:2 Y7 r% f5 T% Q% d7 V9 v# n5 N* p
, X# R' g/ r( z' s* d+ B8 e" T
ESD TEST : J: B& h# W& B) T/ s
& F* K+ J6 Z5 i: i
( A  l3 u" L& h; b: ?
PAD# z4 \  Z3 N3 g% \" E' k9 J# `' O

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong - ~0 h, p! {! m" c2 ]# p3 \
2 F% R$ S/ @" u) S8 w
整體佈局( n& p: G( @! W* \( h. F
! o7 }0 V4 l' t+ |; Y3 K# l% u
pad    layout7 ?( h9 }; f7 m
vdd&pin 28-38,1  esd protection
& [% P9 `7 t% K3 o& B2 u$ K1 \1 @$ S( g4 r# _" G4 a6 ?$ \( [
pad 39 40 esd  protection
2 _+ n0 X5 q8 ?. m5 ^3 Y4 b3 s, X* V
gnd &pad7-14 esd  protection
% n) V  c1 }6 _. k4 o

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
: A7 }. j6 \2 J) P
4 h& W3 l; k6 \& a$ X2 q4 B4 T% ^
  O0 X% c* ?, M. h1 }! @+ V    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
" N1 M" i1 s, S, F6 V2 a" H5 ?6 k. Y& H9 t
3 W0 k0 a$ T& X- L- b& d
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong + |  n4 K& n5 G' Z
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 ( g% V0 V, i: o8 G

3 z9 s8 O+ Z1 i2 _
' m1 f' A' T: m1 t' {- @# j   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
( N3 B) J+ y( _3 b8 F" g我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
% ?$ c4 G2 W+ g9 ?" d" q6 E7 v8 ^2 J
( @) ?# f( o' O1 O% A. w
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 8 I; K# l9 c- H% k/ N7 E. |

% q6 x) D' s; O回復 12# jian1712 ) a) R. E( m' S- e3 W

9 G% W- {0 d3 r$ [* x. h) ^! ~) |2 ?0 l+ D
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
+ ~/ t% V6 \. r4 b" i! R. D! p: }2 I; W/ V$ Z

  h7 z5 i3 B9 P# \2 x  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
9 L* F2 G6 M+ s, O- c1 |! M) S* H2 q' z. L+ p9 ~6 G3 A1 ~
& F4 W8 y, j9 y/ r6 X
    ( g* }2 U5 A; r. h. L/ ]: c
, k. B: k* j0 d
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun / e; X* b% ?/ A, d

9 `. D) g6 e% E8 P9 C2 o; Q1 _8 s9 V$ @
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,! c# A& ^, l1 i& c
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,: ^4 Q" K! e9 R7 k) o# y5 B% S
這是相當容易造成gate端燒燬,1 A, h* D) ~5 \; `
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,8 N& S, L& i+ x2 ^7 s0 H% o* Y! T
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,- \. g; k4 ?* ~/ x1 K9 P0 S$ ?( }' Q3 Y$ }
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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