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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › chip power ring 电阻一般不超过多少？ ...
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[問題求助] chip power ring 电阻一般不超过多少？

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scy8080
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1#
發表於 2008-3-13 18:09:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
对于较大面积的die,从ESD考虑，power ring 电阻一般不超过多少？8 \; t+ ?- ?7 G  N9 [
请高手指导，谢谢
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qpau
2#
發表於 2008-3-17 23:36:52 | 只看該作者
我也想知道這方面知識啊!!!!
+ i- @: b8 J5 K  b/ v, B# q5 n" F有沒有人可以幫忙回答的呢????
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cthsu1
3#
發表於 2008-9-8 23:18:47 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm- O9 C% T' j8 `( X' Q# x
如果會超過1 f" c) `* X+ i/ ]+ E$ j3 c9 T* N
那麼 I/O 這邊的元件要畫大些
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scy8080
4#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:01:42 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm，谢谢
0 z& W: e/ `; R超过1ohm, I/O元件大些，这个尺寸大小怎么来把握哪
$ L) o2 d" G2 h; M( K
/ q, I! S' Z! F; z, u' `4 K[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-10-31 12:05 AM 編輯 ]
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scy8080
5#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:07:09 | 只看該作者
还有一个问题，我们在做IO 管时，拉大CON到GATE的距离，大概3-4um，这个作用是什么哪
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6#
發表於 2008-11-1 15:26:02 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

是为了增大Drain 到Gate的space，也就是增大Drain到Gate的Resistor，防止突然的大电流烧毁Gate！
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samgu
7#
發表於 2010-5-14 15:37:38 | 只看該作者
若擔心 POWER ring resister，有另一個想法就是在這條路徑上多塞一些VCC to GND CLAMP
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8#
發表於 2010-6-8 10:48:22 | 只看該作者
补充：1 Ohm可能难一点，3 Ohm比较实际，特别是较大的Chip！
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9#
發表於 2010-6-14 11:36:24 | 只看該作者
看到許多前輩的經驗談......讓我增進許多經驗喔~~~感恩
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10#
發表於 2010-9-11 16:13:21 | 只看該作者
回復 1# scy8080
7 u1 Y; m1 X& n
6 W8 b/ \! W8 k) P  X+ S2 I( \/ E' _: X% V
   # o- T7 T, u& W7 C9 F) ]% T
　以ＴＳＭＣ作为参考，90纳米以下要满足bus电阻小于１欧姆，90纳米以上要满足bus电阻小于３欧姆；如果不满足该设计规则，esd zap的时候
  b0 o. s: D" _5 y很可能打坏core里的device。
  `+ y, V7 g3 f" ]% O2 ]9 C8 A5 V　
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11#
發表於 2010-9-11 16:24:01 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm，谢谢
: _) h5 ^, L& ~超过1ohm, I/O元件大些，这个尺寸大小怎么&#2646 ...% v& K1 }+ R; G; B7 o& @( d. G; E
scy8080 發表於 2008-10-31 12:01 AM

, o8 ^. y0 F' k
4 G8 f5 B  L# U! y( C5 x* d1 a: [- m* Z$ B0 ?8 _6 F! O
I/O元件大些有一定的帮助，但瓶颈不是在I/O元件本身的大小上，所以I/O元件大些起到的作用不是很大，比如diode,Ncs的面积大，实际上对diode,Ncs的交流导通电阻减小并不是
# }9 ?2 t8 @( }6 ]很明显，由于ｂｕｓ太长了，上面的IR drop太大，比如ead zap 2000v，有大概1.3 amps的电流，如果ｂｕｓ电流从１欧姆变到２欧姆，那压降就增加1.3v，而单从增大io的面积. @5 H8 ^' G5 [8 H( D( D
来平衡ｂｕｓ电阻的增大是很难的（再说成本上也不允许我们降ｉｏ的面积做的很大），势必会对core device形成危险！
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12#
發表於 2010-9-11 16:43:44 | 只看該作者
还有一个问题，我们在做IO 管时，拉大CON到GATE的距离，大概3-4um，& ...8 L3 c8 q/ K3 o; q" A
scy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM

0 [. X3 H! k$ n4 T3 h6 @+ K  r# W
# ?( E8 \! ~# Y/ p拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离，不会拉大source端CON到GATE的距离（同时一般会将salicide也去掉），6 T: [! N+ x" v4 Y; S
其作用是增大drain端的电阻，相当于在drain端串联了一个电阻，起到在esd 冲击时保护自己不被打坏；能保证ggnmos下寄生的诸多npn管
. \9 k$ P$ e% @, Z0 K（gdpmos下寄生pnp管）能够均匀的被打开，进入snapback状态，泄放esd电流；如果drain端这个等效的串联电阻不够大，寄生的诸多
, Y! b( \6 n; a4 p. Qnpn管（gdpmos下寄生pnp管）可能不能够均匀的被打开进入snapback状态，只是有的开有的没有打开，而esd的电流或者说能量是一定的，
" C7 ^1 h0 Y$ Q9 H3 n( M  g必须泄放，电流在局部逐渐增大，出现二次击穿（热击穿），把device烧掉，我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小
8 ?% x2 ]$ R( ^, _暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞，都是被烧毁掉的痕迹！

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參與人數 1感謝 +2 Chipcoin +2 收起 理由
semico_ljj + 2 + 2 不错。。。

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13#
發表於 2012-7-12 13:15:13 | 只看該作者
good!
3 X9 m7 D! r. @3 N; W" e5 S讲的很好，现在在被一个ESD问题困扰
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14#
發表於 2012-10-20 15:04:41 | 只看該作者
受益匪浅啊··~~~~~~~~~~~~~·
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15#
發表於 2021-8-26 13:34:21 | 只看該作者
受益'良多
' O1 c5 g) V% R2 @1 u9 d
7 f: x$ p5 `% ]/ [; M0 n謝謝大大的分享!!!!
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