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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 d# O9 `! A" Q, t7 I1 x& R  y. }6 ?' A
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; r8 d7 i7 D: A6 b" [
大部分是要match, f3 [) o# I+ t" |/ x' q/ ~
Metal poly  density  不夠* Z  w7 P# G3 f2 E: y3 s. w
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 C9 u- A6 o- v3 ?; M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 ^. w# h2 U, ]# i& y0 N6 S$ a( l

' p' u) L, }. p: V7 v
# {* P" U8 Y# P4 _$ S/ \/ h    感謝樓上的大大
" o- V# e/ U7 Q# Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( \# U6 i6 B: r- W& u* C6 U4 I! C: d; U- R" J
. P2 B2 u2 d6 ]0 B& \7 T, ?
    感謝您回覆的這麼的詳細
) J2 M$ |* d8 f您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 f  N" J  }6 ^# [9 D
2 k8 ?. i+ y, T不過簡單來說
7 R& z2 \) f& _1 N& C在製程時食刻會破壞掉你的元件% f3 {. R% ~# }) V5 c0 N
而特性就被損壞
7 ~! y4 m: T& T& b
  ~* o  u- [/ a' M/ h# j# C若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>: t4 U- x: t0 Y; Q
所以蝕刻吃他最多
: [2 q' O" L9 r主要部份特性就不會被破壞$ E8 T3 w- M, j2 i) P/ e$ F, a

3 a1 [7 R+ q! c" l5 d很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! [/ J0 y: b  \9 ?/ m, g! o: S所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& w  C, g7 [' ]% r

! R0 v9 Q/ C7 I( x, B, a又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 U1 Q" m  r  l: E- `, \" N
還有電容也要加
* \% z) `9 d- n8 j* ^若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 l5 S4 b* f2 f* l6 z- l+ v+ T1 Q6 K+ {. `7 k0 R4 R: H
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ ~4 l, {& p; Hvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' B& m1 m, C4 v9 ~# K5 f, k  b

3 e$ U3 G, H  r& [
2 M  }& c: ^( j7 {, m. f' R0 x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 j& o' e, k' {. p
, ~" s% c. E( k7 H如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 J+ Z8 x% @9 u& X( z
' d" s( Q4 {" S0 C
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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