需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ M- k* Q' y# a: k
7 C* t; B$ Z5 Ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
, |2 {1 Y7 m4 O. ?; C5 E9 oMetal poly  density  不夠
* L) E9 U) ?; [  q9 T# y加ㄉ那些也較 DUMMY
% D) ^) u/ [7 B把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat
: b. G% _3 F3 ]# z% X
/ l/ V& T3 D5 u, z
    感謝樓上的大大
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593
; [% H: W) A3 C
  S7 M1 c4 k$ O* t& p; `
    感謝您回覆的這麼的詳細
+ p( Z* n( s3 v, u8 r5 N% y您真強

bernie820

某樓說的很對!!

- D. P0 N5 ~8 _2 u! D4 Y不過簡單來說
在製程時食刻會破壞掉你的元件
  t  ~  ?% \5 F- l; g# z% v而特性就被損壞
5 s" V: w6 e2 [! C0 z5 u, @
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
所以蝕刻吃他最多
. Z/ n) _7 s& i( L/ C: x主要部份特性就不會被破壞
1 ~' X; G& v: n9 T4 J5 V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- t+ e# Y, h2 L/ j所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享

4 a/ `( I2 M# U2 U7 Z2 s$ q又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
還有電容也要加
若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!
5 a: J/ H2 U$ s' {! s0 x8 T! p- T8 b
and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. f4 r8 S6 d7 V
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

0 V( R9 [0 U# D( {) S1 w2 a$ X如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

7 I, y( X1 S. H3 V9 Z' w: O/ F7 ?數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.