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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ ...
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[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

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1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？0 x+ a  f0 A1 q" Z7 r! u
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
$ S0 c5 N$ ~9 {( M3 g有純MOS的ESD嗎？？
: S9 ?8 Y: q. h' m4 R1 C+ ^/ S設計上有何重要的技巧？？' _. c2 _8 y4 [1 _  x' t
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
+ d  J2 K% y) H3 E9 }請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

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2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
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3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
  ^- k. N& f+ Z6 B( g2 \1 I* o* j好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！: ?5 R" z4 J; E" V# V
ESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

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4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?1 G. }, Z" T4 U5 Q/ W; k, d& z3 u
感謝
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5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
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6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表 ( U. E* p! f- q" I
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？: f, H  D* t/ X2 {
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
% w0 P- j* Y& n/ B. L6 E, T+ _& {+ y" U9 n! l
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？3 O! t4 g0 G2 H% T+ V% |
請高手幫 ...
# B$ S; }1 z" }6 I7 |
) d+ N) A( `! n6 z* M7 J
我是这样理解的0 v+ a) Y1 G9 g( S
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；  d0 S! a, c. m5 W7 V  @
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果( e* ]+ ~  x& V& ^
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
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7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
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wph123
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
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9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule. }5 t! j  D4 `0 X
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
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werx
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題/ _2 f# Q2 v$ f% P# C- I3 ^+ r9 M( j
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗6 v! V- R8 U7 i1 {3 h! U$ t+ f
至於con to con的意義呢？$ W3 L# ^- ~( G. B5 j2 z6 y& C' J
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個& i! ^( V3 b- d  E
因為ESD電流來時又大又快
; z: C6 k6 d4 U! vCON越多路徑阻值越小一點
% }, G0 n5 ]0 Z  @8 z2 L所以CON TO CON通常取MIN.
: Y7 T; a7 s: ~% e6 o9 g- i  E7 o# E" g" W( c& ]
小弟才淺
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11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
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averyer
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
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finster
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看0 M5 l2 |2 l) A% @5 C( |6 l* U# z
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
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14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好/ _6 P. m1 M2 K3 d. r$ P2 D

  ^1 h( E; E( j9 C
; c9 j6 |( C7 W5 D) s！！！！！！！
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15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。
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