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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 S- D" x2 P* T+ C, Y! P) D: D0 v# `, x
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 @) \- D, U- P5 e0 t* a2 v
大部分是要match
4 m6 p9 V( r$ N# AMetal poly  density  不夠
0 t  F2 Y3 f% v6 z" y* r& e加ㄉ那些也較 DUMMY
' p6 U0 L/ G/ a2 O' O3 p1 [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 V; X  k5 d7 |" l3 F: j8 C

8 a4 ^1 O& }; B! a4 _% l. \0 h0 f, ~3 S3 x0 f
    感謝樓上的大大
3 J8 z) I  p  @% Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 ^. Y' K* f# D/ H
6 I# K" G+ R9 _# `9 @

1 u, v6 n* a3 |. z% O9 a# e    感謝您回覆的這麼的詳細
3 L" I5 c. r. q3 U1 v. q- r您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ n6 Z3 }% B& o+ x/ W* f; _$ l8 U- x7 o5 {- V
不過簡單來說
8 l1 V8 h; x2 ^2 @6 O5 s5 Q" r在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 t( D8 n/ W: p+ H1 {, V) F而特性就被損壞7 C) ^, b; w3 V, ]6 P8 h9 u

+ M4 o" v' N5 g0 q+ B& G若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) W# }2 F3 U; s0 ~
所以蝕刻吃他最多
3 ^" ~# f& k. l5 W9 W! ^主要部份特性就不會被破壞* c. B3 p+ K' {/ x* X' n+ T: k

2 H! K$ Z: }; W( T2 M很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" E* |* B5 O+ h/ n8 d所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 c) S6 K0 P$ z: h# X

+ g) u, E( d0 T! }! f又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& o' ^6 c5 R$ E1 c+ u2 P還有電容也要加9 D% N8 M' c0 _" L0 d
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# L! K+ X, |/ T- M
) J+ c$ r" p9 ]3 u5 s! B6 S. M* q
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ D9 n1 Q* B" l1 W% m! X$ y7 rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 l7 D" n7 u4 V' y8 ]+ O3 V
$ M8 W3 H" u* |8 J
0 z$ D% y; f1 F# h8 i) a( c$ q! u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 v8 U1 x$ _: L. p
$ W- d9 I" w. w0 w( E
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 w; t1 r+ e7 P% D9 {* u4 a+ V; A% Z
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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