需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 ^+ V* K! ?9 `& K! C/ G
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
- y. z$ N# ^5 l. R% }Metal poly  density  不夠
3 g6 B5 x; K$ d* M加ㄉ那些也較 DUMMY
; R  ]% R9 _3 k7 D把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat


3 B! M4 P0 l% v* L7 X# S8 ?# t( a    感謝樓上的大大
8 @. @  J( {5 O* U$ ^; P# a   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593
* ?. k& C( R& I' a' U/ {3 D/ z
' `6 F% x. M2 n' g9 ?0 x! q+ S* o
, D. `# i& [+ R* y3 a3 [- ~    感謝您回覆的這麼的詳細
# R3 |, j- j2 d- l& h5 F您真強

bernie820

某樓說的很對!!
* V0 A4 o% s. u  p1 l/ i
. L* w4 I& U4 _! W- b不過簡單來說
在製程時食刻會破壞掉你的元件
而特性就被損壞
8 C; l, B4 I/ `5 u, _9 W5 Z: p1 F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% Z, D) f) z. w' H* P; U2 u, T所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞
% \: ~0 n. v- S: _1 a/ F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享

又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
還有電容也要加
若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!

( M1 t: B% `4 E! Yand i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 R- m4 Y) g- Y8 o# w  c' Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ z6 X; f- |: t/ p

    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

0 M1 v2 D7 J$ j9 v# m' D5 x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.