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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,/ l& r& N( O, d
+ {! J$ I, \% ^& D7 ?
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
, c9 y0 \" g( ?' g4 |, K
* a4 B4 Y: T0 h* FNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
4 c$ C$ v# l  t+ m6 Z2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
" l4 F% }7 x: ^& _! n/ f* P' D

: u: S1 r! n# _3 N, R- n5 t9 }電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,  c) V/ _# X# q7 Q. i7 ]7 n
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
( a2 I" G8 V3 U3 y! T1 T! ~' ?" d輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
( B9 Y5 h0 {4 ^在理想的switch中,輸出訊號正常。
. q6 c) I$ m9 I0 \9 N: v3 ^, e在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
$ [% {% D# @9 E# |) ?) T取樣電容大概=400f F左右。
, s- a; H$ `+ m& {8 i8 {$ ?先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
. }+ T7 _! a& |! m% d" q  p1 h2 ^+ t2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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參與人數 1 +5 收起 理由
hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 2 `" {9 N' b4 i! ^0 H* ?* E  `
( s/ r, C, r" x" s! K, e
( ^) Q2 k8 e& s; W: E" \3 \7 K
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid ; u# Z; |8 E- t) t

0 R2 P9 {: M5 j, D0 I先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
+ c( S+ O1 z' b這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
- U/ q: g+ d1 x6 u1 M所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值0 _/ N) z! y3 z
列成一個表$ Z4 e1 X4 A2 K( k- u- S
之後看表拿進去套用即可" M) h/ {# j0 \1 }$ \3 R! R& G+ H
此外此電路SH電容不大; f7 }0 Z2 G6 F2 z7 L  P+ i: X
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 1 [2 B5 S- S/ M# n8 g" H, o- V4 k" H
1 c0 g; r" s2 x" U2 m
! b4 e  d5 [0 {6 `
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
% U. w; C, D( v$ J. w1 G* Z由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,3 X6 M, s3 o# B2 Q) w
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
, T: ~* G; |' Z/ A) l  @: \一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!! N; @3 F4 s' Y# Y- A
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,+ |5 P5 Q7 A' P  Y
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??+ l8 r! [7 o9 E
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,' q+ v, e7 K+ T% E6 G
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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