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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
9 K! }4 x2 a4 ~" s一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:- j: n, ?: T1 ~$ Q$ L
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
/ b3 Y$ }- S! X2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
) m6 G% P: v" l$ e6 N# _3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧% L; M' f2 F; K) ~! Q' f
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
3 i4 g# Y" n7 D& ^2 L5 M3 Y2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~& _% j' \$ c4 u' D/ ~+ H
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~0 i$ C3 z' g8 G9 B1 a7 W6 Y% g
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。# ~/ |7 \9 @# r( r& a! w

0 g" M0 a0 u8 A4 ~4 H: c[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子5 e' J& \: `) P4 j
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:$ ~5 {- l% K4 @" _# E7 G# v! i% t
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
$ T+ v: s7 s, m% r2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
* W3 Y2 [. p: ~* x) N& r" P4 B3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
$ e7 I( X; }' ]4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
8 X' L8 n! m& o' q1 t- |; a0 H" z& l* T* x
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
" d7 a3 j; E7 O( T! [' k6 |2。一般會比pad稍為小一點。+ y. F2 i" ]# j* |0 @7 T: k
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。! N5 r5 ?0 i5 k/ r( j
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
" z# X7 f5 e  n8 W2 e|||||% o! v6 F2 Q# _1 ]. N. q. X
|||||  ~. U. ^1 H/ l
|||||→普通
  _2 |: z) }/ E- _* x: R
1 K/ V6 O# G" l( t|||||
+ I" ]7 z" w1 L! z- k+ i" A& L≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
( S* E5 `9 x6 {谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手; B4 B* k  e$ Q9 z+ [
這些專業知識
. B6 x6 M# e4 _' F1 R- c% b  d對我來說& A' O) W, g0 Z$ D1 q' k1 P5 S" _
是非常有幫助的$ ]2 M8 j1 C8 y7 n
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手, F! B# S; ^0 i0 M/ m8 n, V
這些專業知識% w! z& e; e& |# C$ ~
對我來說8 r6 E. S, H7 N
是非常有幫助的
, J9 C1 L! @- v) I3 l( g感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
1 Z+ n* I" s9 J0 X  W8 k先學下來以備不時之需囉
6 _6 w5 j$ p' q. u+ i  ~謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下; f; u% d% ~/ R4 o2 T1 X
哈哈哈: ^9 ?3 u6 m2 w* \/ _
谢谢分享
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