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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
. L: v8 U& U3 K一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
# s7 p$ V8 `+ L! e9 R1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些  u& M+ J1 W+ t  O* W) e
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到8 Z* {" z! |- B; x5 W: e
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
) ], J* b* A( b3 m* R4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~( f$ I& S- H3 X. R2 G0 z& M
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
  _& G- ^" Q4 L9 g. u# W3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~9 I* t: ^+ b4 m7 q, H
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
! `1 ]! e, x  X2 i& H+ u3 z+ Y' t: `$ \* k6 v
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
* T! t5 W: v( F' C非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
- a3 x8 v1 d2 ?. w1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?' n( e3 x9 L  W! }
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
9 Q/ w; X; e" z+ r( W3 ]5 g3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
$ Y/ D$ ?: x( Z$ f3 q3 k4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 4 i, T6 g5 q( z0 U; G% g. C# X

$ K5 n+ p0 ^0 Z. T1 ]+ N* d1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
8 e  y$ W& P( R- h5 X: B4 j& R2。一般會比pad稍為小一點。- ^7 D! g9 L; F+ s5 f: N; q. o$ i
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。+ u7 K& S+ q" S3 k& C
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;+ a' b. h# \, ?: w$ G/ M% B3 e
|||||( n! a: M% L( X5 x( a/ X. w8 S
|||||
& {7 l% O- Y5 H% n3 J, u# S|||||→普通
4 ~3 f" S; n4 `* ]
( G& w  L0 @" b|||||$ u+ i# u% S- h7 i6 ]4 Q
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 6 p" [& d$ U9 P9 x$ d2 L; P: P7 W
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
! n0 x& u4 R2 D3 z7 q3 `這些專業知識
9 O/ g3 U- {: S( M對我來說
3 m& F) n, r) w, Z: r. i9 h是非常有幫助的5 n1 [# ?" D. o1 ]: P" \; S
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
) k9 e+ P  \+ {& N# ]這些專業知識
5 s( K- o* v  g0 _! j0 r, R% W對我來說- O. q+ k! v8 O; O9 R* l  y
是非常有幫助的
- `5 _! ]$ X" b& K% F; j感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
" g8 u( M: T1 e# H' j8 l先學下來以備不時之需囉
- p; B, R! `% F% F, `# `9 t- N+ J謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下( D( ?* v4 |. c/ R) E
哈哈哈% |2 X0 ^% c2 p+ G8 s, S4 ~
谢谢分享
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