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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,. Y0 n2 l0 }' A# o: f+ N
8 }. h- I! m2 L
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
, V: a( m3 Q: D6 a$ I/ m0 C/ p& ]5 x  H1 H
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。& V7 N( d$ Q6 k! u  V* Z
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

( M/ L; @& O" f
1 W0 i2 p2 ^% S8 s: A電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
/ L% b8 U# Q4 ~. m$ _標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
4 B; ?. V) _. i. L6 T+ T輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
7 }# U: f" @1 n/ ]1 `$ x: t& N在理想的switch中,輸出訊號正常。' ~; Q1 r1 d: @. f; z3 E
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。1 w; j3 m1 w( ^! E
取樣電容大概=400f F左右。1 G6 X8 ?3 y4 L/ w
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
: W. w- @# |, v/ I7 }2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
6 X7 |& m0 L( d+ v
4 T( R( ]: K9 Q: t' x8 e% N% c( M( Z7 t3 F+ q1 c( l4 N
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
0 ]0 o1 e) v0 R* L/ A% O. Y
5 P/ R3 d, G# |8 ]. G7 V先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖5 O5 I* l; k. I7 C6 n. N3 m$ z
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
( Q0 G0 a# z6 Y2 I2 I所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值) ?/ R4 {$ N7 G' h& u# K8 L
列成一個表
  N8 @% F# S' ^7 P' s1 f3 i之後看表拿進去套用即可
, s* B9 W8 D3 M7 k7 k$ K/ x此外此電路SH電容不大
6 s/ ?/ c% h, a* J- P會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 : |8 u5 U. Y0 M- s

3 T' E* _$ \: S/ q5 H  v& V3 _
3 F9 Y0 i5 i* j/ b- d' O- \    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?" q! }$ s9 _; z  V0 k2 V' k
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,* X' X, x- [$ b# V; b
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,1 u! h9 d  e. O
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!# v; E5 A7 w7 w
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
$ @% |9 h' j( g5 ?; ?建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
5 l+ `5 _# F) p8 @前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,8 n# N, s2 w* ^; ]
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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