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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.) I8 z( g+ F. Z: p2 p2 G( `& Z
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
# I5 p1 b3 P, J, N9 l% ~7 b& C9 y
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
6 m* n3 c2 N0 \& ^7 V' }! T# \4 M可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
5 h+ k; Q  r/ I/ g使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題, y! ^' ~3 D0 \& Z: s

( s! k. c  U: M2 d# Y6 K% hOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
2 _/ U2 g. ?3 i. j- d但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 . K2 J# |" `8 t& L
1.DRC 檢查軟體運算時間++0 I: z( i6 t8 O, H3 ^
2.RC Extraction 不準 運算時間+++. R6 u6 o- a0 P+ v/ m# W/ H* t7 H
3.P&R 時間 +++
* o$ _+ M6 I+ E  G: B2 O% `8 z4.最重要的原因 製程良率 ----
4 v4 d) f8 b( {3 V' V6 F* w- I6 I9 [3 \- F
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0. I7 j7 O+ N# ?5 i8 b& g0 V
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多5 ^; L* Z* O/ k8 A# P' H6 ^
所以 90度角 還是證明他的價值存在' f. v# s! H  C! a3 X3 D
, T/ v* h) x* c" K) A8 A
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況4 h. Q& ^# ^5 ~& C
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
; q2 f& k8 H- h% c$ _9 ?' `- O/ ~2 i* E* o
得到以下結論
( T1 l# q7 E. g  T
( R( s! ^6 R# f' k7 ?目前的製程技術已經到哪邊了???
0 M: R3 @: m8 y: y* \! z你所需要的製程技術是否需要???
$ J9 v: e5 ^/ T3 s2 JDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用8 q8 \  |& C$ M: E# ]* v

3 i3 N9 E; `9 {2 w其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  ! c8 u  C& u8 h* _8 r% `9 _" R4 R

) }& A6 @* X. K7 I我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
: q4 r* r6 N7 L3 x* ~& d% H
9 }+ }. T) h5 y/ G所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
0 x2 m. E: l/ v; J* F' f/ E4 T4 ~$ s2 h* }' {
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的( E* G+ r# ^( [8 B  x2 }* a* X

" P' ~& k/ t: \3 F$ J如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下3 B4 w+ x2 }' Y0 b) B7 Y
又學到好多事物
$ M0 _$ A# V7 w5 Z4 h  r( `第一次知道layout可以90度以外
8 u" \0 p* a, I' r; e+ |3 J. ^4 l3 y謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
. @8 G, y& l, }0 q2 d, ?: O9 \6 w" A我同學做SAR ADC因為速度慢
' ~' N6 d# V6 k* C- f/ u繞線其實有接到就好了2 Q2 a8 _+ d! `# v2 J
直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
/ S# Z; x, w, i5 O, ^, @6 L+ T% w, A% r做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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