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第一個問題,在輸出端的串聯電晶體,是可以增加輸出阻抗/ ?. [9 K3 l7 Q
而我覺得更重要的應該是可以使up down的switch不直接9 {0 v5 V% {. A8 L; }
與輸出端相接,可避免switch的一些切換時的side effect
0 R; d" d1 R- D! S, G' U比方說clock feedthrough,charge injection對輸出端, I. E! I2 C* Q4 d4 n/ d
造成的影響,而產生jitter( u/ o d/ H5 N0 N' C. b
7 v3 g% N$ j, D8 a! d; x6 k第二個問題,我覺得這應跟N P MOS的mobility有關,為使up' X/ L f) _" Z4 D# e' P, C; b" e
和down的電流match所以要有這種ratio比兩倍應是一般的條件
/ |! [; T$ ^) Y: \1 e, c! W, X但真正的比例應依照使用製程的兩種元件的mobility來設定
6 c. w+ I/ q* l' E2 R; J: Z2 \5 B5 G
以上是小弟的看法,如有不足或錯的地方,希望高手能給予補充 |
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