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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.5 l6 W( y  f/ C# s! z6 R# L0 {! w; O
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
+ T2 @" p, D& R2 F7 f. V( Z8 N0 d' x0 R5 L
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處1 T  Q: `, a0 M& d( ], L; V2 {
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.- n% R$ ^# v0 g8 B# [$ R; k7 U
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
0 N7 C' |. k& w
& |/ D  C8 G; H+ Q1 [0 O( @2 fOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有6 `5 ^& S  E  Q  j) N- p
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 ( Q9 \: i( k/ i2 S4 F
1.DRC 檢查軟體運算時間++8 _. I8 ^% X/ z- p4 R7 V
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
9 C) a: [7 {& l- u' Y  N8 Y3.P&R 時間 +++/ ?2 E( e$ ~* x3 f4 N  z
4.最重要的原因 製程良率 ----4 }1 W  D4 w. c" n) S, e' c

9 ^* o0 H/ y! ]) @$ N3 t: sCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
# E5 D9 A/ e+ h# \5 a, {當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
* Q  ?; ]$ f2 g所以 90度角 還是證明他的價值存在9 T  ?5 q7 u* a3 I  e  _

! Y( a) L$ B  K& ^0 q* g至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況: P3 I* @# b9 S# j4 g& {; b
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
) J/ D2 W" u) ~& n
; [1 p; ~* Z! L# u! O" C$ t得到以下結論
7 x8 ~4 c2 x4 v$ n
* y! ?( n$ b, |9 X6 j8 H' u8 l7 p9 P目前的製程技術已經到哪邊了???9 }! j2 K5 s3 A, R$ j
你所需要的製程技術是否需要???+ E! s. t# R; M8 A
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
* J7 O3 e5 U2 l* f1 W2 k, q* g
; k  P  {# k. }) T1 Y' \+ o其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  6 `% |9 g1 m0 F+ y8 ~6 h6 J

& T6 ?; `1 S* u: m' {我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
; b: B3 [0 P- v3 x7 J3 |$ ^5 Q/ T" P$ e- l8 O+ |
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
: n4 ^5 G. ^/ _5 B  B
9 g4 D+ ~* ]3 Q重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的/ Q2 w: c1 w$ l2 u
! B* c3 v5 o) {: l* }( A
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
( Z" B& z9 M0 M. B3 q9 A又學到好多事物
$ }0 l0 B$ ~+ ~0 r第一次知道layout可以90度以外" r7 G# o; u6 i
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
2 ^$ L. u+ a6 b6 B, P% G* b我同學做SAR ADC因為速度慢4 b2 [7 F) ~; f) f5 X
繞線其實有接到就好了: i1 U! s7 M' R
直角繞線或是metal太細幾乎影響不大2 D* x" g! M- M( G# H$ `# l4 d
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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