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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。  h. `' P0 r% W+ [" O  I
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:9 d' |# a& R! J1 _6 T
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些3 z/ o6 E! o0 Q- F# s
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
/ z' d) n7 o0 s+ \# I( y, e3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
7 M0 t6 y' N* V& j4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
) A: v" T; Y; B% M4 i2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~' c+ d' W3 s. {# v, S
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~% E  E# s' ], i" E  [
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
* l: n+ [* t5 ^6 B  U, G
. h5 l9 K( N7 q+ b! t/ R& w% O[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子* N- B; m) \  w5 n# c, H( K
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
' z2 q( x1 ?8 o! S( p1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
8 W  n- f% z# J* E2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸- }8 x( e1 A( K. p
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意2 A* U4 X. U( T6 G% Y
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
7 J2 r4 m5 E6 y. V9 H' N, D) x, b
1 ?! c# y" B( g" l1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
% Y2 b* l- i4 k5 z) o0 n  i' z2。一般會比pad稍為小一點。
" k/ Z0 p) F: I3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
7 ?# h+ o7 c7 }" I/ S4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;4 J0 I6 x" i7 [* }
|||||* u5 s  j/ s1 l- m9 Q; D' s
|||||
. v6 X, N0 I- f9 B|||||→普通
- f5 X0 K2 Y* N/ B" i
  g4 u. z) m6 X* Y6 W8 }* i5 ]0 o|||||
% O+ i; j9 u- U≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
' f1 m9 B" }' J; _! T1 C谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
$ H) ?1 |. {0 q# W" ?這些專業知識0 P& g+ R& c/ L3 E' F! \5 [
對我來說
& R0 m7 s6 D+ D7 q5 K8 k是非常有幫助的
' Q0 M7 @1 g4 E% U- w' V- a感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
, p- H/ p0 V& @4 l6 G$ t這些專業知識
0 G2 p* D! v9 S' O, x* i對我來說
2 A5 [# Z! ~& e% s是非常有幫助的
) N  d1 ?3 K; q. D) b2 P. S/ z感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING3 j8 v' n( b# B/ |4 C  g, T
先學下來以備不時之需囉$ \8 ~0 s5 D8 A5 F" u
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下) j4 i6 |( `, P4 N5 q$ p
哈哈哈
1 B5 n) m% y9 z- |: [8 {& M$ `谢谢分享
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