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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。) n/ \* ]1 k# W0 }. R
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:$ Y* N" T4 U/ R" c3 z  z# m
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些" M9 m, ~) Z8 n, U0 @
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到5 I* M9 D* _5 r( C* I7 P2 ~$ c
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
, v1 [7 B, l* d  z, s: k4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~+ U2 u: ~' q1 q
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
* l" N+ f- O7 b$ n' c3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~
- }1 {( T- h$ q+ n4 R, t% }* Q+ N4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
# E3 O. M4 b8 E5 C: c( s3 q6 o3 u! @- k
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子& H0 ?; }7 ?; b- _$ E: y
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
0 ~& B6 h/ M, `- B) x% e1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
- ?& ?4 O3 y; G* u7 w. a/ a2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸  @: ~& E9 c$ M/ u! q* j
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
7 V4 ?3 D0 j% t( r1 m( b9 [7 U' i4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
- I6 b9 ^( a, ]( ?& n8 t. t7 C4 v6 [
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
# i- G( X, k- Z. A" ^% n2。一般會比pad稍為小一點。7 `# E9 s" Z6 {* a
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。3 ^# y" k& @* N+ H! l
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
% h1 F7 h0 j$ w8 p|||||+ {: f4 B" w" I4 s
|||||
1 A% p2 ~( e0 h) h|||||→普通  v* R) R/ o; _2 u+ `% y

  O. L9 H- j2 k|||||
- @: z- F$ T) q  t6 n0 e≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
3 t4 {' |' }8 s4 r( t谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
/ U" D/ p2 P$ H' S: j: @2 S- T2 @這些專業知識) l3 e9 O$ q+ E, M) ]! G; h
對我來說
0 A0 ~7 U; t# D6 @是非常有幫助的: N# Z% B# [4 E8 a% Z0 y
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
8 U2 Q# {: O. ~( \( A" y這些專業知識
$ X3 q' i8 W9 u對我來說/ }4 _$ o8 |5 H$ h4 s" g* p
是非常有幫助的/ r/ F  o/ }9 ]; x3 m8 Q
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
' W  ]2 [# q+ h: i$ s2 N; e先學下來以備不時之需囉/ x$ E, Z9 j: a5 U5 M
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下2 k, Q6 L0 o/ D) h3 S* e
哈哈哈
" Y$ N9 X0 I' o+ s) ?0 S1 G谢谢分享
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