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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.) f$ H. _/ k6 s/ `" ]* o5 x" T7 N2 M! M
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
5 Q/ y8 s6 B- z+ u2 i
) _) g3 W% m' F: U5 o! P# sVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處  n1 L* [3 G- B
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.! i6 R0 L6 N) S5 P3 \
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
6 M3 W" r4 {- Z" {9 A
* q4 {* F4 G) C# E/ Z7 ?" hOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
8 u) M$ ]! l7 [' R. }但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 9 {2 W9 n) z  I, Q$ U- Q1 @
1.DRC 檢查軟體運算時間++
9 ^# n$ `- A6 m' B/ d8 C1 I- K2.RC Extraction 不準 運算時間+++) r" V1 K2 Z! c3 P2 K
3.P&R 時間 +++
5 L& x. @) |4 D1 \  t" u+ O& W! ]4.最重要的原因 製程良率 ----6 p% r% }% E' r5 i' B3 o- _& r: a2 q
, T3 \/ c2 {: O- `, H3 a5 q
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0# m: F8 J0 A) i% c' D
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多( O& G4 o8 Z. D( h
所以 90度角 還是證明他的價值存在
0 C; @, k/ `4 E# t# D9 f0 S
! B3 z+ _& w7 y5 c至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況6 ^+ c. o) y5 W) t+ i* |+ h
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
7 a3 A. ^8 g, _4 w9 V2 T$ |
4 k! a& l$ w+ |( ^- q; m* V  H得到以下結論
: `0 J2 x- @) N8 A. o  g3 o
& s+ o% Q/ S/ H目前的製程技術已經到哪邊了???
8 F/ ?5 F+ Q  C' K% d5 `0 M你所需要的製程技術是否需要???
$ P: _) _% Y) h$ z* G! [DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
  v1 [) `. e: M4 I* W, z8 s3 X, A+ q" W
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
9 H6 C3 F8 p/ h2 w: p- N" p# V" b- H
) L# z7 Y' R" U$ P我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強- M# N- H3 v0 [+ r- Q+ m
( C% \! `4 Y# A2 V9 H- W  ]# r0 {
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
% o  `, ~- W# n* j! o& y/ W, @4 G5 @) j7 O& H( ~
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的7 A' a1 j& w$ Y% N$ y

9 }7 M4 I; m$ |1 i' Y/ X如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
! I( `# E" I1 ~7 H2 b5 U3 f* p又學到好多事物
5 [9 X. M" m4 r3 W7 U第一次知道layout可以90度以外
8 l" I$ P) Y9 H/ S( W謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦% U$ p- |4 m* [
我同學做SAR ADC因為速度慢0 z' s9 V' P6 M5 O
繞線其實有接到就好了
* X0 [* V- N9 g% Z* z8 r; p直角繞線或是metal太細幾乎影響不大% M4 v# [, b6 j% x
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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