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[問題求助] 请教几道analog面试题

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1#
發表於 2009-9-23 10:00:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
都是些纯技术的问题,关于op-amp的。
; m& n9 D' f( [2 @: C" e8 d* D6 @  w
1. 比较三种结构:a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b.
2 f! w' a8 k* ?  \8 L( Ptelescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。9 W) q% H) o; h$ f

+ u, f4 n  N( }# ~2. 设计普通的2-stage op-amp,是第一级还是第二级的gain比较的大?为什么?% N2 ]( A. K  }

" b3 v6 g% A5 _0 Z, h3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant
, J1 G  g; N6 epole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样(就是说,你要是说第一级输出4 ~& W4 G0 T6 F- g% P
是dominant,那么好,解释一下为什么它是dominant;反之亦然。)
; e) Z7 r( v7 q: Q9 C7 N3 c$ m+ c" e) ^4 U5 P2 s* p
4. Miller compensation一般是怎么work的?通过Miller compensation,原先的" I$ G/ Q; q3 \3 Y
dominant pole现在怎么样?secondary pole现在怎么样?为什么会出现这样的情况(0 c% H( J& u0 \8 E1 J
我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低,让高频率的更高。你要回答: ~1 T$ ]3 J  I* z  \& r
的是为什么会这样?不是单单从公式的角度)?
0 w  [/ B9 W8 z' |' |
5 Y* U! x. t8 S( i5. Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什6 k3 I6 x. P7 E, b9 L5 o5 e0 L* g
么东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加?
+ h  X6 W7 ]0 n0 i* p
8 K. I3 g/ [* L; e- w9 e1 H# H0 Q6. offset,对于一个普通的2-stage op-amp,有哪些offset (input diff pair,
$ F, ?% G4 Q$ V- O. Q' L) B0 Z" Doutput of the 1st stage, etc),在这些offset中,哪些是有major影响的,它们各自1 |6 f7 W6 K0 M! N
的影响分别是什么?
6 C5 u. l4 _3 X4 A
1 i: q  k/ G1 Y- t# i/ B期待牛人的详细解答。。。
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2#
發表於 2009-9-23 13:06:04 | 只看該作者
1.請看Razavi的書 P.3149 c0 C! g* I4 Q6 [8 r3 T0 Y
8 [7 L1 w! w: M8 r! n0 P/ }: e/ j! W
2.通常是第一級,這樣input-referred noise 較低。/ o9 ^! @1 j4 h
2 S, x8 F  z! C+ |
5.PMOS可壓低 flicker noise,但是60nm以下差別越來越小。gm當然是大好,理由同2。
; v/ x/ C) d* L5 n2 x: [
9 g- t3 J/ ~0 F( G5 e, j( {其他忘了,請各位高手解答!
3#
發表於 2009-9-23 13:31:01 | 只看該作者
offset主要區分成二種- C) c) _3 e1 a  m3 G' M  o
一種是Vt的offset,另外一種則是current mirror or current source offset. |1 ]' b  L6 ]4 G7 \
Vt的offset主要的影響來源來自第一級的differential input stage,這個offset主要來自製程廠的因素所造成,這個offset絕大部份的評估是以製程廠所提供的技術來決定這個Vt的offset值為多大,一般而言,面積愈大,Vt的offset會愈小,PMOS的Vt offset比NMOS的Vt offset要來的大,若要消除這個offset,可以從input stage size著手改善,或者可以從layout手法與對稱的方式來改善
' V1 @3 `/ d& x/ q5 o第二種current mirror or current source offset大都是講第二級的部份,形成的原因乃是因為current mirror並非理想而造成的offset
) R2 g( o( q1 u4 @9 ~- h. X* t) @7 ?這兩種offset以Vt的offset影響較嚴重,也較難解,因為area會直接決定Vt offset,而current mirror or current source offset的等級跟Vt offset比較起來小很多,一般來說都是先考慮Vt的offset,若有其他餘力或者area,再來解current mirror or current source offset
4#
發表於 2009-9-23 18:31:18 | 只看該作者
小弟也來提供點淺見:
/ F/ p% ^& O! W# |0 Q- x* s
9 j3 Q% p! n/ E: J第三個問題 :1 v8 Y% x/ y! D4 v) n. F, Y
      two stage OP在沒頻率補償的情況下,dominant pole應該是落在7 y* U7 V0 X/ l8 M
       輸出端,而secondary pole是落在第一及輸出端,因第一級的OP較大$ U) M, q' J- Q. h$ s5 s% f# V" [% ]
       C應該是current mirror 的active load裡的mirror pole,但此& W) ^" A0 v, O$ o
       點看到的R卻比較小,約為1/gm, 而第一級輸出阻抗可以提供大的R但卻2 y( x. b0 @4 O9 @1 a; V
       僅MOS的寄生電容來提供極點的C,所以第一級都是大R配小C,或小R配大C
1 b. X( ~8 G3 t  X! ]2 u4 ~' m9 h# P      而輸出點通常看到的loading C會比較大,且第二級也可提供夠大的輸出
4 x% o( C, J3 B! d3 M) \       阻抗,所以在沒頻率補償的情況下,主極點會落在輸出點,次級點,落在第一
: `( n9 r. E& K- S, m       的輸出點
5#
發表於 2009-9-23 19:28:15 | 只看該作者
請問樓上的前輩
: d1 m! Z- n% y何謂mirror pole呀?!  是current mirror造成的是吧!?
# r' l- v; p: I$ T# l而這裡我記得會有所謂frequency doublet現象是吧?!     & y! M" E4 m" R' R, |
第一級是大R(應該是指Rds並聯吧?!)配小C ,
- c" r2 }8 @: q7 B小R配大C 是怎麼來的呀?! 5 i2 S" N. f# Z5 w, l+ C$ \6 @
謝謝大家的回答^^
6#
發表於 2009-9-24 18:40:32 | 只看該作者
第一級diode connection 那顆MOS上的寄生C較大  i% h' ?  W0 v/ D  c6 K
但此極點看到的R為diode connnection的MOS所貢獻
" t( U. N, V. X. D約為1/gm比第一級輸出阻抗小,所以第一級中的pole在8 V% ]8 }. G  I
無頻率補償的條件下,極點落在較高頻率形成非主極點
7#
發表於 2009-9-30 13:13:39 | 只看該作者

第三题的一些看法!

两级运放的主极点应该在第一级的输出端,次极点应该在输出端!+ h9 {, T7 }9 A
   一般的两级运放的第一级主要实现增益放大,第二级主要实现输出较大的幅度和一定的增益,对于具有较高的增益的第一级来说,输出的阻抗是十分的大的,并且输出点的电容就是第一级的输入电容以及本级的电容的加和,该电容也是十分的大的,由此导致该输出级的极点时十分的小;对于第二级的输出电阻,由于该级的重要的目标是在一定的增益的基础上,获得极大的输出摆幅,因此输出电阻相对来说较第一级较小,第二级的负载电容也是较大的,由此导致输出的极点也是十分的小的。0 Z% X3 J- F% u4 p7 P
   一般来说第一级的极点相对来说要比第二级的极点较小!9 v: y6 |' P: x7 f1 @
: P# W; ^7 S' ^! A
   请多多指教!
8#
發表於 2009-9-30 13:29:32 | 只看該作者
第三题解释清楚R,C的相对大小即可,就能看出你对电路的理解程度了!
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