sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..

( L3 E+ P+ T0 \+ ?6 E! S" k我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了

* o" q1 g1 A4 S0 ~  f3 b  T4 ?但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
- b/ I2 C, [  f1 e4 n只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
舉個例來說
HOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
% |$ ~6 j1 m# {& @, M四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
6 T2 R5 y. _$ \) P/ P* r: S
我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
/ K' s& F9 q: c/ W6 ^! [型號是HM5216165TT10H

) J  e+ m+ R, t7 B& M6 m, l7 W" B不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
) r4 a0 l( ~" H5 R6 Z9 U能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....

$ Z1 \; O4 ^( n% S* @3 @# X謝謝

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。

ian77316

謝謝tommy123前輩，
                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
4 L. W# m& b. Z* _
                 很謝謝你的熱心幫助