HSPICE問題

raw1012

*******NMOS***********************
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.lib 'c018lp.l' TT_3V
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6 g: C) Y& s6 Q9 Q- ].temp60
.probe id(m1)
.end
1 T9 M0 x' M7 i6 a! a4 x**********************************************
4 x+ g( F" a4 @' N
這個是我所寫得NMOS飽和區的程式那寫出來的圖形要怎樣才可以求得(UNCOX)
! ?- R; u( g8 N9 d是要找飽和的其中一個點來判斷嗎?
, M2 @7 r+ m- k請大大幫我解答一下

minijasmine

你是指un*Cox吗？
  \  B8 y! n0 ~! A: d6 Cun可以在NMOS管的spice model文件中找到U0；而Cox=Epislon0*EpislonSiO2/tox;其中Epislon0是真空的导电率，EpislonSiO2是SiO2的相对导电率，tox是栅氧厚度，tox也要在NMOS管的spice model 中找。

layes2

ucox.  is  outof date now.
you can not use it in deep submicron design.

markb

不同channel,參數值就都不一樣,提醒你要注意一下！

stevenbest

不好意思想請問一下為什麼會想知道UnCox呢
一般不是都直接從Hspice中知道gm就ok了