關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
6 g, Y8 D5 e  t( u7 G& ?/ |3 n
0 \% @7 s  ^4 _7 z6 X# }1 j3 [參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
& T0 I6 M5 K+ w# D我們的place方案是：
; Q* r$ a( J- m' U9 S6 i1: A B A B
   B A B A
" i  V9 Z4 b8 Z7 {/ z% j8 b( F這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
" j- ]" E, c5 c3 T8 ]# [5 D  C對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
6 y) Y. k" V/ Z3 h+ H( K' Y2 z3: A A B B
   B B A A
- k4 K5 p2 n- A對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

3 p: Y0 G" `- C/ i9 K6 D+ E[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
; a; \' ?; t2 n# p8 W1 R8 e
1 u. ]+ ]0 I+ a4 B" l7 F沒人知道嗎?
1 a% W4 s% G5 @( z  H$ N9 b" B
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
; o7 p, Z- q2 j大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
9 V3 _& K: G! a/ a% g第三种分散性不如第二种。
( j5 k1 y; X7 U: M8 Q
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
' [4 s4 S7 z# `) t
- [6 b4 Q; a" Q; K7 ]然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
" c% L7 S# z8 q8 X# |$ O2 U( m第二種較匹配
8 b1 }$ X. `- [2 `( T9 w
- {6 r  F0 r! p5 i  ?可是為什麼電流方向不一致@@?

* z1 z. Z9 X' w9 X/ H然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

' C6 L5 A) ?3 W, K5 a$ ~3 I如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
. d# V5 }0 E" d: F" J. U所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
! D0 c9 ?) H/ M  Q* G# j0 I
; W- w" H; t* t, p0 v2 q主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
* E& P: Q- ]1 z. P; P7 w! l若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

9 b# k( ]: T& f( m2 d4 l8 O光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
: U9 i5 R  }/ X/ n* F電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
" {$ U7 p- l4 k  X- Z4 E都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

" e3 d0 V+ k3 Q1 U6 z5 h7 X9 x6 j
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

7 q( N/ c( ^+ N& E+ |' C5 c0 A4 t我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

" B! P, B$ `9 [* o/ |7 H9 O" l


                  
* u8 U/ h$ X' ~                 
9 O7 B$ m8 I* i; z/ l/ n- i請問STI效應具體指？
1 g+ O) [" y1 x9 @" u; F
* ^; c0 |3 s, r0 V5 U                                                               
) v# z* U- h) G( O! g                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
# ?% Z& x* f9 s2 k# y  AB     AB
; ^. d7 Y3 T  W        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
0 r( R* k; Z1 ^' m
如果不共用
　A      B          A      B
; O6 L' ?* j4 ?; M( j        x        X         x
　B      A          B      A   
! F" ]. L* Z0 X　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
) @, @" o4 _8 b+ @6 H0 Nx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
- ]) W' y9 ~( B- J& i4 o" R
: `4 o  k4 ~" j: D0 w! m
6 @' x; }* @9 ]+ L% G, x方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

( [5 u: R+ }5 H9 X1 @

    何解? RD不一定正確吧?