關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

5 n% i! f1 X" U; }. M( S參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
0 W! L" g; @7 U我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
3 Q; j/ v" a8 c4 B2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
& v/ e, f6 D; v3 O$ q7 m3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
2 d" }+ i, x7 K2 {$ j2 K/ _
8 `, y7 Q, y6 S6 [/ Q( }/ l7 W大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
% C. _$ s- t8 R) w6 i3 T
! D; X. A0 P/ O6 C5 ^( G6 F' z/ k[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

( a' e9 f  o6 C0 l& h0 V7 U沒人知道嗎?
6 B7 }$ ?* `* ^4 t$ W! S, e
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
+ Q) Q9 E: f8 Y! @* d
可是為什麼電流方向不一致@@?
- F% ]2 k  @  Z$ D0 V6 g& T* y
. |5 l- X& L* @7 l/ g然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
3 ^' R+ t2 \1 [/ A) T& ]第二種較匹配
/ d# F& P' y) v, h& U* S* b7 _8 O
& [4 `# n: M( `可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

5 [# q' r/ H& T' |如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
0 S* g" ~. q. s9 [* h. m所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
+ Q, E, x* t# t" Z
) V' c+ \+ N; R% Q主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
2 |& g+ ^, M& W" m' I. V3 D若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
- q" A, y( w! f, K3 ^" k* {: q電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

  z4 e9 p! b0 G) O% X" X

% c; }  t' G7 J5 ~  q$ {
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
) M- M0 Q: x) w/ S" p( A6 D$ A
4 ?' J4 s; a- B! G/ U5 f我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

3 P# v  r- Z) C' X1 T: ?- P
6 q, ~6 V. b; u  w5 O2 g3 B" m                  
* G6 v& F! I+ I. H; B8 F$ v0 C0 e                 
2 e' M4 x# F2 q; o  M' C請問STI效應具體指？
- d- J& s8 h" |) Z2 H
0 O7 J7 h' q) P8 s% R                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
* p# K- }6 {0 I6 b  AB     AB
/ v: |. S7 C6 J9 T- s8 e9 x0 }        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
) q6 l4 o& n0 D, b　B      A          B      A   
  l7 ?4 j3 B- e- q# I2 p　　x1　　　　　x2
  X( P! u: @  _! j$ ox1 屬於 common-central
4 R2 D+ K) e* n5 F: Cx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


) H0 h6 L* i! G4 l1 R方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

4 X8 I6 B+ J; z
0 u9 ~1 n+ Y) T2 N. l( O# S
7 c( P9 n3 f' ~4 g6 ^' t    何解? RD不一定正確吧?