MOS上面爲什麽不能跨綫？

minzyyl

關於類比類電路, 很多前輩都告訴我不能在MOS上面跨綫,誰能告訴我爲什麽? 主要影響是什麽?

如果這個電路對寄生電容不敏感的話跨應該沒事吧? 而且一般跨的話至少用metal2, metal2和gate之間距離相對也不小了,寄生應該也不大吧?

哪位大大出來解釋下?

semico_ljj

如果是敏感电路的话最好不要！会引起crosstalk！

semico_ljj

一般的电路是可以的

minzyyl

原帖由 semico_ljj 於 2009-7-13 09:38 AM 發表
如果是敏感电路的话最好不要！会引起crosstalk！

! L3 }% D+ b8 y
能舉例説明下嗎?

% q  q) d" S+ I+ I
               
- N, Q* V( e* f( T8 }$ ]
                 ？

賴永諭

請看看 請看看MOS cross-section 結構會發現,上面的Metal經過時,會下陷在上來...所以M1盡量不要經過MOS....

man52013142002

什麼是crosstalk
& |1 y! ^# A/ e# Q# e+ F  V
什麼是crosstalk

minzyyl

原帖由 賴永諭 於 2009-7-14 09:21 AM 發表
: X$ r& o. C+ c/ Y- Z( Z, O6 ]請看看 請看看MOS cross-section 結構會發現,上面的Metal經過時,會下陷在上來...所以M1盡量不要經過MOS....

6 P4 m$ o: P1 E- }: b. Z4 S
M1理論上很少跨過gate吧,畢竟S/D都是用的M1連接阿
3 i) N, x4 [, n  n; d. |. A
至於你說的會下陷在上來? 請問怎麽解釋?

HanGu

mos device gate 上走金屬至少會有兩個缺點：
1.影響 mos 的 Vt。根據相關資料，metal 從mos device 上走的話會影響 gate oxide的表面電荷
  從而影響 Vth。metal 1 影響最大，metal 的層數越大，影響越小。
2.Cross talk. 因爲metal和device之間會有 parasistic capacitor，如果其中之一是比較 noise
的話，就會影響到另外一個。

HanGu

原帖由 minzyyl 於 2009-7-14 07:02 PM 發表
% b$ w* t* \- a) K- Z6 u! W% w
0 \. l& V6 _% S+ w" H& R
M1理論上很少跨過gate吧,畢竟S/D都是用的M1連接阿
7 q0 B2 r3 u, B4 J
至於你說的會下陷在上來? 請問怎麽解釋?

( j0 i4 @2 r$ k! d
3 h6 \) ^, q" H一般比較老的process，由於
! W# d: s; U/ f1 H1. source/drain 在silicon�，而gate oxide和FOX長在silicon之上。
2. source/drain 需要用metal通過 contact 連出來。
$ k- }) U' m6 w- [4 q, m$ z& |所以從source看向drain的話，在表面是凹凸不平的。
: ?& q* c1 m. h9 N* R不過現在有CMP工序。會對表面進行抛光平整。這個問題應該不存在了。

semico_ljj

新工艺会引起Vt的变化，要求严格的时候不能跨綫

sw5722

從半導體製程來看,一般metal都是在上層,而一般的mos是很多layer
一層一層往上做,所以越到後面越不平整,雖然有平坦化的動作去做硏
磨,但因為不能磨太薄,怕傷到LAYER間的絕緣,所以它不是完全的平坦
5 L- ~( ^& J/ x4 F- _METAL是在不平坦的地方上做的,所以做出來是不規則的幾何圖形,對
& I8 J5 Z9 j3 d9 w& H* v電路是不太好的.

ychchip

yes, CMP is not process perfectly all roughly surface. So, poly density and metal density must take care after new CMOS techniques.

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 10:05 PM 發表
+ X# e- k- \, umos device gate 上走金屬至少會有兩個缺點：
1.影響 mos 的 Vt。根據相關資料，metal 從mos device 上走的話會影響 gate oxide的表面電荷
  從而影響 Vth。metal 1 影響最大，metal 的層數越大，影響越小。
2.Cr ...

頂, 覺得應該是這麽回事了.

Vt的定義好像就是溝道電荷的數量和gate上面的感應電荷相等的時候的gate電壓,gate上的金屬肯定影響gate上的感應電荷，所以進而影響Vt,影響管子電流

semico_ljj

建议即使跨也不要用M1，M2最好也不要！M3以上 可以考虑适当用！当然不跨是最好的！

lethalkiss1

如果gate上的走线就是gate 本身的信号线，有影响吗？
$ C: v0 W) s3 G  |0 _$ _5 a  i
如果是要match的mos管， 每个mos的gate都用metal1 覆盖在gate上走线， 有影响吗

minzyyl

原帖由 lethalkiss1 於 2009-7-27 10:59 PM 發表
/ U  s5 A8 o! \6 l* Q如果gate上的走线就是gate 本身的信号线，有影响吗？ 从影响Vt上来看也是有影响的
( T/ u, ]2 s% m& Q$ e9 A% R0 s
如果是要match的mos管， 每个mos的gate都用metal1 覆盖在gate上走线， 有影响吗

不推荐
6 q" O/ Y5 e8 ?1 i" f+ N! p


/ Q+ H6 ^, Z( v- V9 Z: o                                                                       ？

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 10:05 PM 發表
mos device gate 上走金屬至少會有兩個缺點：
1.影響 mos 的 Vt。根據相關資料，metal 從mos device 上走的話會影響 gate oxide的表面電荷
  從而影響 Vth。metal 1 影響最大，metal 的層數越大，影響越小。
2.Cr ...

( s' x; K% k2 Y4 ~( j  l另外有個問題： 一般信號綫都不推薦cross gate, 但同條件下很多卻應許電源綫cross gate, 請問這個如何考量?

minijasmine

对噪声不敏感的电路ＭＯＳ上可以走线的，可以省很多面积的呢！可以通过后仿考量Cross-talk的影响

nebula0911

如果有機會的話,用nand2(基本邏輯閘)去跑一次lpe,會發現所萃取出的寄生電阻/電容之多(寫的越詳細所萃取的就越多),所以RD基於將問題單純化,不再增加模擬電路時不確定的因素,所以會要求layout盡可能不再mos上跨線.
就個人來説,唯一有可能跨線的mos是mos電容,但也會在mos上先加上metal1作為隔離,再用metal3以上的metal去作跨線.這樣可能還是會有影響,但是將影響大部份轉移至電源/接地,應該是會對mos本身的影響減少許多.這只是我個人的作法,希望能有幫到你.

cas

on-cross metal may cause unpredictable noise to underlaying mos in analog circuit