關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

2 v) I9 O/ c& t1 x+ w  w$ [- A" E參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
; d: P' u8 Y2 I! V' D1: A B A B
   B A B A
" r: ?9 y* x( ^這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
- F7 z  t+ Z% t! Y8 @0 R0 J   B A A B
* H1 h9 ]: T% d: K, |0 g, {- _7 V3 n  v對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
1 C1 H( x3 h3 A9 b) F2 I   B B A A
  Y. _2 z4 p& V: y# A對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
. ]/ d0 u8 H2 f- H3 A+ ^
/ y- a% G" O/ ?- z0 q大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

* A& F4 [$ }9 {4 ?4 U5 M, t4 ]' p# b沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
* A7 ^+ I! a! @3 D, h% _% K大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

+ v' j9 ?+ |, \! D9 A6 ]) G[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
- V0 s  b, U) t# R3 L
  ^  V6 q: D2 G0 [) s: |# U可是為什麼電流方向不一致@@?
* j/ A* m, x6 j0 N# ~# w
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
- [/ ]" e* }: r, ?6 |" F第二種較匹配

2 V# J! K4 W# z) K) i, v可是為什麼電流方向不一致@@?
, a$ R# ~" {9 a# D
& s3 L% Y6 Y" I$ u8 V- ^然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

8 t3 O2 d$ T7 K( m' ^
; [  @2 u- _. r, k如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
. o  z1 a* C8 k7 W% @) ?7 G6 z所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
% M; z, d. f5 }, U$ H6 l
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
; J. u- e+ y5 z$ f: v若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
' m  Z: K0 O5 [4 S. h1 r5 J1 h
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
1 `0 t1 ]0 E% ]5 _4 ]% V一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
. U8 I* y% Y. S' z. {1 q( K' ~都 ...

# |# B" f* U$ {# B7 |
1 F' |! Z6 o, z' ^2 x
; R1 W; J5 Y* e" k3 A8 R
8 h: ^5 r+ h  ~- f1 K7 y9 K! w第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
8 Q3 ?; M. @+ n+ m- h& R5 e
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
4 a) E: P, L* r如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

& W' i7 M, P; Y% `

                  
. B& @6 Q; v  g3 h; Q                 
請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
0 r9 |0 y0 z$ x- s' |0 m5 @# m  AB     AB
2 O( n7 \7 C8 J8 Q4 q' Z        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
　A      B          A      B
& e- O5 q5 h1 }: Q        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
; J8 s( `" a9 ?4 gx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
# {' E. Z( S4 Y

2 B# n: c, P; `4 ]! g: o方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
, _8 \8 p5 O: i/ \+ i6 R方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

& a' k  R) _  C& H  a( j7 G7 C
4 g6 ^9 `% t" {5 }( S7 `' h6 e1 ]    何解? RD不一定正確吧?