關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
! I& E9 P" q+ t3 d+ ~( z" N- y
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
6 j! M4 n1 a( M$ H7 \   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
/ r  w2 B2 e% J9 g+ i, d# r7 u( h   B A A B
/ Q2 {9 j. E7 ?; o* ]; k' U對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
, y2 U3 N# ]! n1 F4 h! g# d( f對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
5 W' b/ i3 |. e
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

/ l6 A( J9 A$ f* O1 I0 t$ \[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?
& b9 z* l0 a- S7 E
# p4 w( a- \& x$ ~沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

7 D  l8 A$ \0 C  _4 q: }8 w[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
  ^* Z! i" \! r5 e& H; {& k8 f
可是為什麼電流方向不一致@@?
1 v) V& x, l- _) k1 s
9 h" X/ V4 C5 K8 _2 z0 x然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
6 g" s2 Y+ g, \
可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

+ d- Z/ Q3 h: j. H( z2 D
3 F, U0 C+ a$ J) q. o# r2 v4 w/ |如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
3 n; B" f. W8 s8 s' G2 |+ k: {所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
6 Q2 N2 M0 h1 ]+ ~
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
* o$ c$ H" i8 k5 z. Z8 {
  U2 K. J" O9 u% x4 [光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
) O( }$ @( B9 \# A! [" Y電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
) b1 G+ ^' C' L4 ^都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
' M7 U# l- g/ c8 y都 ...

$ x: t3 H3 i: X$ I% u. I6 n, p. ^# v


4 `1 K0 ^; p# \+ s5 S# X第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
* L7 c/ S3 Q: ^" r; l3 u如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

3 N- W; [8 x6 g

* T; Z& M+ S( u8 O
8 b, d( D$ ^& Y3 s5 h8 \( l
                  
2 H% Y+ e! q( Y1 m                 
請問STI效應具體指？
: x) L& {' ?0 A: o3 z
                                                               
( j% k/ e0 y2 j$ |                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
  _9 `4 h- o) f; l3 U        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
# B1 D, K. B8 S1 j+ v: Y
( z4 L# l" t4 |2 y+ L0 v$ _如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
1 ~8 H, O* F2 o1 \$ W% S5 q　B      A          B      A   
8 f/ O9 S, V7 i2 O) i  R! [　　x1　　　　　x2
  O9 q3 |: k% B7 _% U2 N: i5 ]x1 屬於 common-central
% G$ e8 j: h" xx2 屬於 common-central
4 Z1 X' n" p9 A5 ~/ Sx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
# G5 X; A$ [. T- G, p4 ^% j兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

( D0 V# |4 Y( z5 r2 V3 t- B  @2 D
0 l. f" H, h# `/ u) A方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
" e9 |" U  t9 ?& z) K# _方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
1 C1 k* L* x# e3 K4 @我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

  d7 I$ g! b% i; |

5 j8 K) ~- l* g3 i+ L/ B' m1 [    何解? RD不一定正確吧?