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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。% q: B5 P( ^5 S
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
" l7 f/ |3 d  ~9 ?: k$ k( p. b. P9 l% O1 U5 C+ M
假設M1:M2=2:47 l* c4 q  g, Y) m8 ?* E" P; g
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
: b4 G4 L/ ?- T( B* l9 }( [7 Y) e- P$ H% u6 N6 g/ h. ^

) J, i8 P, q4 ?' y* l2 y但是我個人不會這樣子lay# j$ D- ^/ {# q0 b1 V* _
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
8 ?* |' K2 X! a, q9 K+ R. N# N1 H& V9 R* v9 @& }' T& }  J1 E# [& h1 O' \
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
& P0 B( h3 B  g) J可以以中心對稱。. S$ a" x6 F# T7 w8 e, E, N
3 m  p7 w' `' w* r* X! o
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)0 p# W- w; q1 o  d
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
) @* X) |' O& X2 `" O" H7 i8 l0 [# ]0 c& s, d  o" ^$ [; o
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
0 e; u+ E: `: oMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
$ e- H9 ^& r  @6 n
6 }, M4 b' ^  c9 Y- L) q他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
$ A6 R" c* J1 |4 `不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
, @+ h6 v6 q8 R6 ~. Z# c針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
  F$ b; f) j, E6 U6 g, l5 q1 D) U2 S; b+ j$ s# ]

, L+ G0 F/ m7 V) |1 w以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
7 `! j+ G! A+ d  L; W: G他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12  B: F7 U: }5 c" T8 `- \) m# w8 j
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
# s1 \( ~& p0 y" v: V. _我的原案是
% q, @& p7 p$ U% e1 Q+ }  n# [M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
" Z0 A! {. d' q9 V, ]因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。  d' V* F$ ~2 D, k' z
我考慮是* W: B4 E5 K2 e5 r8 S1 v2 e
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4/ X$ x+ `6 l$ S
有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~
/ f0 C+ ?9 y- h: H要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
9 R3 Y# Z8 E# ]8 d- o*********************************************************************************, E  {; T8 }/ n
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
7 c. s2 O# N9 G( V( ~/ _! e那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:1 P1 i' M7 l5 w+ ^' a$ G; R
- L$ M2 _' M4 @( g( \3 Y# C8 \
假設M1:M2=2:4: ~8 O' s0 b5 c: ]3 _0 }8 y) P1 y
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
% }7 N7 a' ^5 b$ K; u& ~; Q# I! _5 q% w/ ]) B% R# u

$ x/ Q& H- Y) R5 F! _0 o8 v但是我個人不會這樣子lay
8 b% ^6 V# _0 \  Q+ g因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):. H1 a- \6 l) |7 B4 i

0 v7 b8 s% x; |+ q不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE$ _( z3 B$ K# A% j+ g1 Z9 q% [
可以以中心對稱。3 e: O1 A( h1 K, ?: M

" D. W3 Q. ^7 H7 y+ O( L但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
9 [/ \: y% t7 X* n* ?' y這樣的,但是M1的接線就有問題了。
) H0 q# j3 z4 P2 T: j; T4 T
) d# A0 E: h: D* Y6 n+ \* T同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的7 X8 Q# F# ~+ d0 a
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:+ ?& R8 b% l/ c

- Z. Z5 X1 v& l) @5 E, R5 b. k9 p他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
: i' ~& i' O7 d7 m7 y# R不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
3 V' [5 A. P* `) H6 |' o  S; J針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。' ]1 q% H  ?6 F4 G# M* E- M- _

! M% @: U; B1 ~( I( H8 T; E
( R2 W6 s4 P) T以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
: z1 g+ K. a! o; L% M. _$ T' s他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12- _& K. X7 D+ [+ n$ G% M+ h
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?* U9 H8 ?5 W) ~( s! A3 O
我的原案是
. d& L$ M. U0 `5 E) K' |/ P( o3 p) aM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
0 F. _( T- \& k: h6 J因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
& U2 k' T8 G2 [我考慮是5 }4 Q) r/ n) L. O2 s  o! I2 j
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
6 d' C( m( {- G2 |! R5 Z- l有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。1 w% C1 k3 X) p, y
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,) |6 B, H5 C. y: k; U3 e. a5 x$ T
哪個誤差量最少,就使用哪一種。- x0 P# l- V0 v/ `* `  M
; }& E* A$ U' L! ?" t) R5 \* t, P
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可$ B0 v" ?0 W5 _/ \$ u7 ?
一般我會用C,不考慮面積E也行
* U# b6 K; p! S1 n8 G6 J製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
; I1 @) s5 `4 `; p; l" Qmatch是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
$ x3 x0 E: E" |1 W- x9 v* f但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好6 S1 Z; h# A4 i* k

9 R$ [- d" r4 \) ]' T  `+ l0 _' O+ T3 W可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好+ i' i" G* ^4 P

# ?  T/ O( x1 S2 e. ~# I% S+ ]7 P9 K"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
# j2 Q; C! o* y! z
/ R- F9 p9 @0 `# Y* AE的match效果 從製程方面去看 算是比較好
. {! E! i% z5 B& B# J. X& K& ]9 T9 h- w4 O/ L* F
不過 要用到2層M3 w; p0 y2 E5 K) m# h" }* \

1 c- ]1 v  F: D是不建議 用POLY去做連線* O6 }# M# ?& C) N
* G/ ~) K! H  x$ E, {
就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                  ' J0 o, q) {& d% b/ Y* I  ?3 o1 B
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份
. g5 z  R9 C, B$ V7 J( F它會除二,平均分給兩顆各一半一半
; Q0 M, C. V8 N, e- v且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
4 b, j. Q3 I+ W9 @,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在- [7 H8 x' @) D; p0 j9 f* W5 s
做速度較快的電路時,差異更明顯,
  _) O9 y: g4 p/ k0 ]E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
5 i" V( u- o8 l9 W; F電容的萃取,都是單獨計算,會比較大- F& x3 J0 p" t8 w- \
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
9 t& h# j. q5 S4 a" J7 H而變慢,
5 K* Y8 j5 ^, ~5 @8 [$ `# S所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重: e) m9 G  A: ]; Y/ z
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該) y8 H( g0 {5 M
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是3 H  K4 D, [- w0 N( s, U
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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sunwely + 3 你的經驗就是知識的來源!

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!% P( w8 M) H! g. Q/ x
在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………3 I* x4 D$ l! N- c; l' D
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
# Y2 v7 L( f3 f- }% U4 r3 Z# G4 O" H: g9 N5 d/ t. _- ~
# V5 k' v( k7 F0 Z' t/ r. n

: J- M- C/ U% s8 ~' I* S7 [1 vQQ?房器
# L8 O+ W; b/ M/ D  c
! ^( ~9 k; Q0 O3 S" R2 W$ U李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
# P5 P" M7 U3 q; w8 ^. x; a可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎 " K9 L  i& i. T9 m" h! [& R
還是是我自己or 系統的問題
$ [) M# a6 R; P! c$ y! [0 x謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解& R+ E2 Y$ {8 s  b9 a+ U% E% A7 s
只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM' F, V) E( I/ X, e6 q+ z
我再重貼一遍" r  [2 ^: E3 p% b5 v% t6 v# S
*********************************************************************************( \8 v/ E# [; `3 A& f9 O
各 ...

4 r2 l8 Y# l  f( G謝謝大大的圖文解說,受益良多7 j6 |6 `8 O1 }6 s( i. c
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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