C方式在萃取RC時,共用S D的部份
. g5 z R9 C, B$ V7 J( F它會除二,平均分給兩顆各一半一半
; Q0 M, C. V8 N, e- v且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
4 b, j. Q3 I+ W9 @,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在- [7 H8 x' @) D; p0 j9 f* W5 s
做速度較快的電路時,差異更明顯,
_) O9 y: g4 p/ k0 ]E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
5 i" V( u- o8 l9 W; F電容的萃取,都是單獨計算,會比較大- F& x3 J0 p" t8 w- \
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
9 t& h# j. q5 S4 a" J7 H而變慢,
5 K* Y8 j5 ^, ~5 @8 [$ `# S所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重: e) m9 G A: ]; Y/ z
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該) y8 H( g0 {5 M
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是3 H K4 D, [- w0 N( s, U
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |