關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
  ~: G0 D+ s+ J
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
. v- I7 k/ j' O( K1 q/ _我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
8 I8 S* `1 ~! j這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
: ?% u: z# w8 _0 o5 t$ m9 |6 `) ]- V2: A B B A
( W5 M& ]5 Y( _1 S' T   B A A B
9 X$ x$ |6 C5 [3 b$ C/ ]對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
9 a9 n  J( u  g- ^   B B A A
" w; K2 P3 b0 U對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
7 f0 D( u# g: r  U. ~
- O* V9 `/ p$ c% B9 c7 C$ `[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
% v/ Q+ ~4 I  W$ X9 ]
沒人知道嗎?

& O. q4 T0 O4 l, b+ x沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

' ^' \5 X1 p4 @5 k8 Q[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
& W: t0 h/ b0 b1 [& W* a; B
1 X: {) C! ]! P可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
" ^2 m9 J& Y" z/ F/ h
5 ?, O/ z! S' O可是為什麼電流方向不一致@@?

1 G: U% x0 S  L. r1 y6 B然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
5 o# x2 G  F! O9 l& f所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

6 J* I* v* H& X- S) l主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
8 S/ N. w  ^1 ~8 j2 f& D
# I& D3 b9 @7 m光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
' E4 E1 g0 a. m電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
* D- U" o! O5 w1 }2 s都 ...

; ^5 k0 J% r1 O7 f2 J# ~0 u

) d4 N0 u% U, P% T: X; S! l' A4 B
- c9 d  G2 d) x4 ?! o第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
: p/ D4 U9 g# N. i( a, p! q如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

" T6 f9 r( ^$ P) g" w$ O" M! H9 v
- p: v+ Y" ^! u6 S. g- ?( d

. t* E% y2 z5 ]) m3 _' h, b
; t( j" R2 W4 h8 X3 t  y                  
                 
請問STI效應具體指？

, g) o. D+ i# z6 M; c9 A                                                               
7 [# h0 H9 O  [  {! }( d% [                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
. s- F: c  k* L' N) b9 P3 x; }        x
+ D9 D6 ]4 t; K0 y8 c7 r  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
# C% z/ F7 E( }8 H8 t
如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
7 D0 {, S, A( t) w* k　B      A          B      A   
# h( T$ J- \, }5 i9 A　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
$ \0 [! A$ W" d. Qx2 屬於 common-central
8 a* }  [0 m% _( W& ex1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
$ \9 n- O; R1 K4 u7 M7 n兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


+ M* b5 K1 T5 {% c; v  d方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
* J/ o5 J$ p, r  b  v! c  P/ \+ {方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
, q' P" b5 G: @' r" [  N我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

8 q" Q+ b- W7 N1 q
% H, P# v" S! T0 V" u
- n+ d% \+ k- ~8 w" y    何解? RD不一定正確吧?