關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

3 A2 N+ Y! J; Z6 \' A$ B參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
: i' s) z# S/ R! U% N4 L我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
. [% j- H5 @% F* H$ G' }! V1 n# G6 R   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
+ u/ S5 h/ G, X: ^; W- {   B B A A
! \& D, h& n2 T) I# M5 b, W對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

+ K7 A) n/ U8 N& F) S大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
8 o! F7 @  M5 D; o7 _
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

+ Q/ a/ U) O2 u' e7 G1 x沒人知道嗎?

" n2 K9 L. z; M3 B9 `* w8 J沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
0 }& E1 E, k; h# W0 a6 I+ v大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
& ~' k$ N) y! J& P" Z9 {第三种分散性不如第二种。
! s& f. ], x5 F
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
4 a7 c+ g" L' g- H3 e第二種較匹配

- h" g; ?- D' }5 W& h可是為什麼電流方向不一致@@?
" F8 l+ R6 A" j0 N
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

( f6 M2 n" ]* F: l8 L& _: g: \* P
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
4 {, V- r9 y  k: E所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
. y8 l! M$ ~% P
$ b  |' L' @) @9 U( V7 {" _/ s: B主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
  n) D9 Z& _0 {7 L& l( r
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
; _) W; I# g7 x. g% K. b  m電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
. Y" s8 U7 K2 V# n都 ...

1 Q3 b/ J( s( v2 @5 x
1 q6 H4 V. s) G: ]0 p) N& i3 f

第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
4 L4 K; \2 M- E
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

* i) R+ Q9 j  y
: U, ^7 B1 R3 K" Z                  
% Y5 l1 G3 p% m' l& F5 ?  s                 
; K, X' u- a- S- o' i/ H0 f請問STI效應具體指？

; L; y3 `! T: A9 _! ^                                                               
, S% u6 v( s7 Z" J- `                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
# H8 A; C# m) ^3 }  AB     AB
        x
$ e* W$ W! Y9 Q8 f+ B+ }0 V  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
+ ]+ m$ Q3 s# Y
; c) K* x# \( G如果不共用
& {# |# Z. Z0 O( v9 i　A      B          A      B
; q  q3 F6 i6 F# S% s' a/ \5 q* G3 M: H        x        X         x
　B      A          B      A   
# P+ M3 V& e/ L　　x1　　　　　x2
/ Y5 X' u# D1 Ux1 屬於 common-central
7 {* A6 u4 y  p4 t6 Gx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

0 E+ i9 q$ p& ?( B2 U/ n
8 L4 h' Z7 E0 s: t3 b/ b: Q- m方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
( p0 H* r3 j4 W方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
) w3 [6 r, J5 G" M我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

. |2 h: V8 B4 k- d! r# T
5 Y! f+ y; i$ d& v& t
    何解? RD不一定正確吧?