關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
2 P4 \$ ^* L. a" N4 ?我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
& h4 ]" e) t0 _0 Y這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
# ?9 _) i2 J" k2 A! t8 O   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
( p5 _5 ?( O! E% j6 E3: A A B B
! ^9 \. S3 W; F+ Z5 d   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

" C3 X/ I1 V% I+ y( J4 R大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

- V, Y6 J/ l$ L6 @" R3 ^[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
% G: L# s9 B% d- i$ [
沒人知道嗎?
9 E) _4 Q# M' \2 Q
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
2 m. w4 C0 x& i) K, A, h" ]. Q1 i6 k大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
* Y9 T, z1 ^# n第三种分散性不如第二种。
! ^8 I- u* z! s4 L5 z
/ P' J7 A, ~* K5 x: E5 n[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
9 e( d- f7 V5 c" O
4 q  y% i+ }4 n$ M可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
- q% d8 f3 I: Z& t3 Z7 p0 m/ n% @
: G7 l. i$ H4 k; z2 b6 X可是為什麼電流方向不一致@@?

. ~" z3 i& Y  M  U( |8 j5 C% h2 z然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

. m' X( [" [7 Z4 I/ D" p
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
  R/ `" J) G8 Y$ w/ B所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

( [: C: p& m. @0 `) _% O主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
2 M6 T* W! ?$ x% w4 C# U! C$ @若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
( r" v+ y6 [; b! p* S" v
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
5 h/ J" {5 g. |1 W- [# {電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
! [3 {1 c( R6 C. t8 g- |9 U' C都 ...

9 x3 z6 `+ B" l: ?第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
& |, ^; B) }% Z' W
5 C: X$ U) J" u7 B2 @- m: h/ T我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

! }0 {6 W" [1 E, l



/ H) t- k$ u7 G                  
                 
6 O7 r& y9 o6 |# f( q請問STI效應具體指？

                                                               
$ v" H# M& E, ~2 {5 t! h8 S4 O/ M                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
0 Q% `  }1 u  s  AB     AB
; f! ~, r7 ^5 f1 s: L        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
- t4 `5 C* E# A, }7 m. s* _0 H* M
如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
; f8 X7 h+ N2 ?$ A& h, |" ^　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
% y8 ^  t6 m" z% U/ Qx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
! _3 R' O9 c4 m8 x/ h2 @

9 e9 f# g0 T3 }4 s; `2 o方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
& ^( i8 k" [- Q& C方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

' B; @  D- u5 o+ c% }1 L) m* C

    何解? RD不一定正確吧?