關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

0 c  L9 z! n( I: N0 x$ w; `) L, t參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
0 }( J6 t) c( @- Y   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
& F0 V# z7 S8 f9 F/ m   B A A B
& j& l4 [$ K8 ?對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
8 a$ B1 j; N4 f3: A A B B
6 _. f  V% S% e  S  ?   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

) M8 {! _; p6 J, c% L- R' q0 K大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?
1 Q7 b) B( E( ^1 L1 G( \
: |6 }& ^4 ~0 L2 J7 s沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
* N4 }& Z, Q$ {# q" o* k: c第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
8 D. Z* X% ]" I3 k' q第三种分散性不如第二种。

1 R7 K1 \) J% |[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
0 R- ?" g4 ~5 ?- K第二種較匹配
  Y& w! b4 ?. \/ f5 e  d
9 w4 n  @! n+ b% j! j& e/ B可是為什麼電流方向不一致@@?

5 Q; Z1 w. A+ S然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

( j1 _, a  S/ D2 S0 C6 a) i  _
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
3 P) V# q8 o) p' l所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
/ y" [# X6 L# \
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

+ T, k8 B1 L8 b: }: f. D  T$ S# q光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
( r, x% X6 G" j. c2 [: O; }8 m電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
! n( o0 R$ P  ]! ~6 S( x都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
  Q8 |. v3 @3 W% A- C( O: [4 j+ A電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
) p( |" m; q( n都 ...

; W2 [' T$ c: ~7 _" u4 B


第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

6 y, \: q3 l; U2 e; z3 k3 @
) C: I* H  Z6 Y
3 m, U! y5 j% h- A! {                  
                 
& w2 E8 Z# b) J/ ^7 e9 j. P: U請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
+ c  C" B* N! i        x
. Z. j* Q4 v( P# u7 ~  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
1 W  d) U: B' i' p　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
3 z" h0 H) C4 @% |x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
( A8 Z0 f) Z6 n$ Y% Y6 S+ p- F) _方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
: j; V, E2 M) I. E$ A我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

; J, r1 r/ }9 @, X/ H' ]6 v3 f2 r
- T; O, A. A4 t& o
    何解? RD不一定正確吧?