關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

: }" X9 k7 A: N2 r/ i參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
  L/ ~" p$ {+ p- e$ H0 T0 N我們的place方案是：
1: A B A B
& Y3 q; J- A$ i- C9 H- F   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
! o  M0 ], e! u# Z  s   B A A B
  S3 o- Z7 N5 S! O: M對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
$ B; o& E' E& c6 P3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
9 b7 s- @* T$ h0 c
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
: v1 P7 z' |0 a$ a2 ~+ e' r. Q7 ~& o
: P; T- g$ f/ |6 k  {[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
& B4 h1 ?) X1 U1 M
沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
, |6 ~; p5 o* N. @2 u, z大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
8 T7 L/ @% Q7 v: K% |+ R5 i第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
: G& g* R$ Z7 x9 q
可是為什麼電流方向不一致@@?
( Z) C* f$ p' b6 J$ n" s
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
! J" A/ i2 U3 Z7 D+ s% O第二種較匹配
1 K2 o% c; i4 A& s( c& n# n& T
1 s3 U; v' g3 E1 ^8 t可是為什麼電流方向不一致@@?
8 T3 O6 o# z" y/ S% s
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

2 f2 R! x. u9 C) A$ R主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
+ c1 t# U! H9 Y! n( v' G若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
% a5 j9 p  K3 p) u) A; C0 q
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
% d) Y" @8 C' T" X- j9 I2 E都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
9 _, [  c# Y2 j3 a% U3 V電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
6 B& ~4 K8 q& v7 o都 ...

8 L5 C! d4 o$ B$ w- g4 v

" \. F' }* G  f0 _# \
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
' f1 c) W/ |6 X+ ~5 S
, e- m8 V; i/ d9 Z3 _我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

( [+ T* ]; l& f' V& Q) R, P


                  
* {2 }- |! A6 R, }! j                 
請問STI效應具體指？

( _2 r3 p; w( v* H  E6 ]5 T& G                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
, U' r) n+ D* Z5 c& z        x
, G6 Y' k. y& M7 X* @8 e  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
) M% k7 n, l& L; q$ w( Rx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


0 `+ ~) Z7 k0 {$ {5 {# H* @& h方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

7 c9 T' t; ], @- v
. L# C1 X1 [, C% i- a9 o2 U3 Z    何解? RD不一定正確吧?