關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
+ X+ |4 ]' o0 d+ C# l. B4 K我們的place方案是：
% `9 N$ D% m% E( R1: A B A B
3 T& Z9 z, C8 s   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
: F! K: O5 S& l2: A B B A
! U/ I7 p( b1 R! ]/ Z' j   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
& ]9 y: A- E4 z, }7 k   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
2 `* }% ?/ g3 a2 c' {
$ J( C, v0 ^2 a( [. B2 s大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
' M( W3 \; F" y
6 M8 f) R+ D* U& l& p4 K3 U[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

3 F1 W. E0 C: E沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
8 e! R# S6 B# {3 [$ G大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
' W3 g# Q3 k- ?% H0 @第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
  t1 e- ~8 w9 @' }, w1 g5 g
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

7 U( n( V' E( d可是為什麼電流方向不一致@@?
% ^# ?$ P/ |; X6 i$ ?
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
# Y0 U4 K9 Q! o3 w/ ?4 z# ~第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
+ v  c9 M/ ~3 U7 o2 d6 w8 V
6 _( G. D( E' O+ }& Z然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
7 a2 F5 o! h9 F4 g5 S( Z
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

5 \5 S! u4 z& n8 O  B5 R光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
/ U- W& g+ Q) N) n3 ~) |電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
% }# e+ @# \5 X都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

  o; e% F4 v4 `: d
$ b( Z: s1 f  ^
9 f* F  U( ^% }2 M3 ^# S. U
: E$ Y# c& Z# ?4 v4 y, _3 x6 A第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

5 s" e1 b0 H" Q* G* O) ^3 {8 O$ s我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
4 ~1 v0 J5 L5 i7 ~+ k如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

1 f5 w5 n# m$ N% |: H4 f  r
! Y# I' E9 m# `+ a, |& g" A1 L6 X

4 e1 m" i* N* j2 U
                  
( }1 Q- g9 x) @/ g5 R! U3 H                 
請問STI效應具體指？
  K; p8 {* [4 `
                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
8 q6 ^2 v- g) G& m# ~) w& c* A, ?/ m  AB     AB
0 ]: b% h! H! q        x
9 u$ ]0 ~2 Z# U( D( K) L! a/ _  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
: e3 }* Z% ?3 u4 z1 I, K
" ~. s, D% a/ @6 \- v( w8 V如果不共用
: u7 X0 B, g* U7 X2 {- g* Z　A      B          A      B
  {5 u6 B' n9 A6 ^" _; t        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
- w  W) t8 u: |+ e! Y! yx1 屬於 common-central
7 _) b" h' Q& ix2 屬於 common-central
; N2 R2 X' a* ]9 rx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

) c- c! {/ \- E  _4 k1 d/ W    何解? RD不一定正確吧?