關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
8 X3 \) c3 f0 o. r
: \" I9 y; N8 u5 f0 v" g參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
  x" R( A$ O% l; e0 N) }, @3 T# g這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
% w* A6 y3 m; i! }/ k6 T2: A B B A
   B A A B
8 I2 ~1 X' R& N對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
5 |: p( H# I$ J1 g7 U3: A A B B
/ Q$ c  u6 |! ]& V6 k; r0 W   B B A A
& P9 T+ H9 U$ x  o! ^& T: ]1 w9 u對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
8 H& E/ o2 |$ z4 ?& Y* j5 C! w& U8 w* N
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
, g# V5 w, N* _7 [
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

0 E2 Q& X8 Y& k. K* C! F8 P沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
& G* s6 Y0 }! i1 N
4 m0 S$ ^0 i4 D! d9 v; I( w[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

+ l4 n$ h, k  I" Y3 |# U. i可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

1 l$ H* ^* D5 x4 l- b可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

; e3 N; b8 a3 q$ L$ w" K. l如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
2 i) [; ]0 O1 Z2 n# @
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
  _6 {+ M% o- S3 p2 S/ M電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
9 q8 x1 O7 H- J0 U( @一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
2 V$ V% @) [) }! I6 s都 ...

# s8 a) k0 o. H' U* D第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
0 f+ q3 ]3 q% a/ v! M2 T- [% m! i
* x" a4 O1 ?8 q& J  y我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

                  
                 
請問STI效應具體指？
8 }4 S- H/ `* K6 J; T  Q( v; H
                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
7 S) X# U+ ?7 N+ E; Y  AB     AB
" }1 ~0 a* G, z+ W        x
* I7 c) p4 q# ^: o  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
( K5 ]: ?7 ^6 C1 b　A      B          A      B
. f. Z9 w1 `3 L4 W        x        X         x
# v  }. {! T4 g! ]! _0 G　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
4 Z6 d3 e6 C2 g$ x( a/ kx2 屬於 common-central
3 l) p; H- n$ i! Q8 rx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
6 w3 b) Q9 N0 [+ C! q
2 K' N  N0 ~+ K, _4 g2 @2 ~
方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
0 @- K8 W7 z; N" r$ X0 L% m; b方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
! K$ X+ I& @9 n# ~" u2 L( ]我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

/ w! _3 M& r) o8 |2 E- c% s& ?    何解? RD不一定正確吧?