關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
; Q9 |( B, h9 t% J( [" D, _1 U
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
) z" s, j( ]; d+ g! B! u6 T9 t# `我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
0 S5 z. Y0 d7 `$ R- P& V( z% G這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
9 }1 m/ O; ]. `5 J8 t2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
& G' p* M! D0 }) |3: A A B B
! A9 c' m; }7 x) ?( e. m* u9 C   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
! ?5 k9 w/ j" E
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
; a* s% d6 Y! ~# y+ R7 Y( X4 M8 N" Y
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
2 e2 t* E+ U& V% ^
7 w, v% m2 W6 w5 K) }8 D沒人知道嗎?

9 A0 x4 W. m+ J1 U2 c0 l沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
+ E, l+ [9 B  H6 `6 ^第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
0 l% |, M9 U( b( b+ j
0 e9 U2 J/ k* p! l) ]可是為什麼電流方向不一致@@?

! A" C- S( Z+ v7 \" ~- s然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
1 A1 `4 e$ a' N, Z2 d5 v  f
' d1 ]! M6 c0 v' M& n可是為什麼電流方向不一致@@?

  A4 W+ s/ Q7 c' c* C3 f然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

( R" i3 r. @+ W1 O  u$ j如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
; k8 t. u- n! e! K
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
# H2 T0 _4 L/ D+ X' U  {) f; O
! S6 h* A- q1 {9 X! ^光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
  R' f. f* i3 |( d/ |. k一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
0 h  v0 \- \4 m, L電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

' ^8 ~4 S- t. K# [


' t$ q; @7 G& t* x! C第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

; ?- N( E: H2 q9 U4 X" E9 @( ?我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

& _/ f) `; U+ M
: Z4 z& V5 l9 ^, d2 J+ _
: d8 ~2 \7 u% E- n" Y4 k7 r

3 R) s0 _' E2 _. \2 j* p) l                  
                 
請問STI效應具體指？
! F7 I( X  {/ e) t1 D
                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
& Y# w0 G9 H0 R  AB     AB
        x
) p' V* ~! k! j) U1 S  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

0 q/ }' J9 d+ L3 z- {如果不共用
9 N8 E, V3 `* N. i- t　A      B          A      B
0 W6 U9 X  L( G  q1 M! Q, W& O4 i        x        X         x
　B      A          B      A   
/ J! m/ E& z' m/ I- |' X　　x1　　　　　x2
4 S/ i" Q% ^; l  M4 ^/ xx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
* T4 E! C2 _7 F1 z8 @x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
$ @1 T' v' [( S. ?5 u/ ~, p兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

4 K5 y4 H; _/ a6 ~* s9 t
方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
6 q) ^, |) e# k* d2 w- z2 e# g我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

. O% L8 m8 h6 s1 F0 x
+ m0 i# L, I0 z+ [4 ~4 ^1 F) P& @4 ^
+ Q7 J  l% C) L, M: \' k    何解? RD不一定正確吧?