關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
7 d* Q) Q7 n% Q
7 g7 H5 k6 R: t8 K, R參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
/ _" l2 {- B8 d$ V6 |$ E我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
9 b3 `3 Q* G. w& x2: A B B A
3 y& R% s, c8 L0 t5 B0 g   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
7 m  B( m  Y/ C: ?* D5 ~5 m3: A A B B
4 ~' t7 u. m0 d2 P7 P( \   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
$ |/ @6 P" I. W$ j% S$ F
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
# Z9 C' ?& C: E4 ^
7 K! E) J! D# H9 k0 l9 h[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
# }( D/ O5 ]  Y  I: x* C7 |$ x
) q  j. o" p. A6 q7 C/ G% M沒人知道嗎?
; g3 x( i( r3 v) R$ v
! R& c( H" U! d+ T( `沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
* w' J/ f9 B- M. J' }( v第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
8 H8 X7 ^% `. W第三种分散性不如第二种。
9 H, s9 N, Z7 W. ~# j" B* h
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
. U% ~+ W; Q) c# D
可是為什麼電流方向不一致@@?

; h; h+ {$ y9 o2 q+ I3 c6 `" K4 R然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
+ x, ?7 P0 A: J! N第二種較匹配
- f# f2 E: O/ o; D0 O' u% z5 P
% G2 l7 }/ Z: F4 L2 h6 G2 X$ Z可是為什麼電流方向不一致@@?
/ ^- O3 k  O" G. W- q" M  p8 X' w
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

$ Q* B$ ?- i$ D# U
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
8 J+ w: F2 {) F) w若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
9 g5 f% u+ X- l. d  d
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
3 a  M; ?0 X' A- ]( n都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
1 B& r0 M1 ~' d一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
" ?9 N& ^7 p5 \5 _/ e8 o電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
8 H# I0 U8 `6 h3 ]3 d/ U1 r2 o. O都 ...

9 w' |$ y6 k6 t( Z, G, l6 R' R
6 Y! c& U& p. y6 k; e  ^第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
" N8 ~" H& ?8 j4 p# q
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
- h3 Z5 z: l# e# T2 f) @+ f2 S如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

9 J$ o  e3 J) u6 _$ l0 u- O
  y' N! t$ @% }+ i& t( y8 _7 @# Z& Q$ R

                  
) ^" G' l, r7 A                 
4 n5 N6 W, G( c; ?( u! m' b請問STI效應具體指？

( k; u: v# R0 ]                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
3 \/ p5 S3 k" ]* Q- n$ q" N  AB     AB
  m3 {+ V5 ?0 P1 Y4 V. y) Z        x
: z4 v/ {- e, E0 v% B& w0 o  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
: C) _6 @% N3 S# \
如果不共用
! N" u' V: t0 ~1 P, W　A      B          A      B
  w& D2 N3 s& v        x        X         x
　B      A          B      A   
. R! N8 B/ q4 ]　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
8 z: d) O8 D* k, B! fx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
# n6 j0 J4 a/ q) ]" u- p兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
- _& |% u5 p1 `

5 H* C, e2 e5 p6 e- ~0 |方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
3 q& D3 ?& `( I0 Z$ u方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

: ^2 X* e" C" d    何解? RD不一定正確吧?