通過大電流的MOS的畫法

fengxing9999

各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）
' z6 B( ~, i5 L; M. @: k" \! F1 Y
) C! z% t- v4 n- P哪位有類似的layout可以參考嗎？

scy8080

同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

lin.weite

Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
Metal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
0 _! X/ g) F4 |- N7 c8 t如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

fengxing9999

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表
( g# W# X4 H+ e; j! R- |" j' qContact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
& v& P4 r+ H  O- iMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
+ F* N' O! d$ t- p' U+ x  P$ ]* `: G; Y如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

( A  b& ^" V  k; U1 N這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，
% x. @0 u9 S" k5 b
查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

sheu

大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
( B) u; b, n3 G) B2 z注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

愛情玉手

到底是對稱比較重要?
" Q7 K: n1 ]( C4 u7 m( f6 Y還是面積比較重要?
0 o1 z$ K+ e4 S或是電氣特性重要?
還是看RD比較重要????????

garyinhk

同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

daidai

"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
7 B& k7 A1 T& h  y$ G& Q/ kYoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
Power Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
$ y1 Y! C4 n, B" ], G; J  bDate: 18-22 May 2008,  Pages: 95 - 98