通過大電流的MOS的畫法

fengxing9999

各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）

' {8 x6 {0 Q8 d, N哪位有類似的layout可以參考嗎？

scy8080

同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

lin.weite

Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
Metal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

fengxing9999

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
; r. ?4 ^- l0 Q4 cMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
9 s2 N% c8 {. `7 ~如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

: L* Q  V8 e7 b( i1 U6 N0 E. Y3 f$ L
- S5 M) Q8 C* A這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，
+ b; E- A2 k% s  F" L9 ~" u. W
8 Z$ \7 a  n1 K; P# P查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

sheu

大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
0 i3 C1 F; }, e, {; K注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

愛情玉手

到底是對稱比較重要?
. N: x4 g" z3 @還是面積比較重要?
或是電氣特性重要?
還是看RD比較重要????????

garyinhk

同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

daidai

"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
: R  T/ J% X+ ^! W% @- @Yoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
Power Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
Date: 18-22 May 2008,  Pages: 95 - 98