1 2 3 4

Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 通過大電流的MOS的畫法

查看: 6598|回復: 7

[問題求助] 通過大電流的MOS的畫法

[複製鏈接]

fengxing9999

電梯直達

1^#

發表於 2009-6-10 10:50:37 | 只看該作者回帖獎勵

|倒序瀏覽 |閱讀模式

各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）

哪位有類似的layout可以參考嗎？

分享到: QQ好友和群 QQ空間 騰訊微博 騰訊朋友

收藏0 分享頂0 踩0 分享

回復

使用道具舉報

scy8080

2^#

發表於 2009-6-10 15:35:30 | 只看該作者

同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

回復支持反對

使用道具舉報

lin.weite

3^#

發表於 2009-6-10 23:46:07 | 只看該作者

Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
Metal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

回復支持反對

使用道具舉報

fengxing9999

4^#

樓主| 發表於 2009-6-11 11:08:26 | 只看該作者

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表 - g% m1 F. O$ H& m7 `
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA6 {. X; c& a; H1 A7 \
Metal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
( ]2 s+ q+ ]* f5 x( r6 C如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，

查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

回復支持反對

使用道具舉報

sheu

5^#

發表於 2009-6-12 09:00:43 | 只看該作者

大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

回復支持反對

使用道具舉報

愛情玉手

6^#

發表於 2009-6-12 10:10:14 | 只看該作者

到底是對稱比較重要?
還是面積比較重要?
或是電氣特性重要?
還是看RD比較重要????????

回復支持反對

使用道具舉報

garyinhk

7^#

發表於 2009-6-15 15:52:36 | 只看該作者

同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

回復支持反對

使用道具舉報

daidai

8^#

發表於 2009-6-17 12:42:40 | 只看該作者

Waffle layout reference

"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
Yoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
Power Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
Date: 18-22 May 2008, Pages: 95 - 98

回復支持反對

使用道具舉報

返回列表

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-30 02:08 PM , Processed in 0.108014 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

		自動登錄	找回密碼
密碼			申請會員