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C方式在萃取RC時,共用S D的部份- G: Q3 E3 w D' ?* N& D
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
; \ a) E: o- \' w+ Z且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小9 M+ P% K" P5 c* i4 b, F( L( D! T$ H
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
5 W. v& x) b9 `* d3 Y; q7 V2 v做速度較快的電路時,差異更明顯,( O3 R8 Z; ~9 G
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
/ T1 A3 P' {2 _; m電容的萃取,都是單獨計算,會比較大7 m) D" `& f% T1 F R* w
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
. x+ h6 _% w( q% p# ^! C- o1 F而變慢,* s! \1 {* h1 P$ V
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
; _7 X: K% }1 l- c' c) kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
# F! V4 G9 F x比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
) G" N0 a. O9 A3 ]: X7 H, [問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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