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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。8 j8 e& f+ s- u- V5 e1 s& ^
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
9 ^* M5 _$ a1 z8 i: n2 a" j9 d, f3 M4 l! t1 h6 J; l
假設M1:M2=2:4! T; y+ n1 r5 G- p  z
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:/ e! O; a! r) w* k( W
$ {2 u, R$ R  p$ @3 F+ @

; Z0 J2 e- B) X, Q' F/ |7 D* k6 {但是我個人不會這樣子lay7 M: Q3 X5 M/ S  }
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
# _7 ~/ `" ]9 l( t6 G6 e  y7 n$ `$ M% g: v& R
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
6 L/ u$ }1 d! F; J( e0 y" g6 c可以以中心對稱。) a, X, t# {# p5 z

7 F' X* Q) I! v1 d但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
( u6 T# P' E; x這樣的,但是M1的接線就有問題了。( a  q% i! F7 y8 K# ^
9 i3 @! v* s; ]% h% b, x! i
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的  @$ U; V! n% }" ~  B  h
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:5 `! G- A/ b7 o& R0 I3 n, E( T

$ n  o% p9 B: W9 L9 N1 d他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。 # E2 _# ?; f1 S$ j9 a; a% P  _
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
. t2 B0 O2 u" F5 t' m) Q0 x& `# b- k針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
" ~" G, z- |; H( i2 b7 K/ k( ~& }9 E! L+ K

4 E0 S2 \0 Z/ r8 C以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
6 S* H( V9 c3 R7 ?他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:127 ?  L7 m2 ^, y- s& I
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?9 i8 J% A0 Y6 o" Q3 |3 K) P6 D
我的原案是& v5 D  H: r" A; j
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
) J# Q4 }5 J: ]1 k9 \, I- u因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。( H, t: R7 v! P' U
我考慮是
! Q- O* M1 `) Q# M) t! {$ LM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*47 a. r8 r) m* M: q5 A
有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~/ ^& u8 I  @/ w( P0 |9 Z
要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
6 I- P3 ^, X3 f) u: x5 y2 X* G*********************************************************************************9 g. A0 K5 M% q8 L4 C
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
% c! F/ E( l9 y% K' h' s那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
. ^$ l" y0 i& Y) m4 M1 F# J9 m5 D& {2 @! d) X
假設M1:M2=2:4
0 `9 w7 h6 m8 \2 R' {5 k& k2 i9 c  i而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:3 {/ k+ N9 M7 m7 E# p1 ]3 \

1 ~& {: T4 M: h) ^" c% a
" H' h, E% l1 B+ z! }但是我個人不會這樣子lay$ N; e; h. j0 D' v& c$ Q/ i
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
1 z- z9 T- `+ e8 W# Z3 `8 p  v2 [' s" f# L
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE8 d% _5 c. A( [
可以以中心對稱。
9 T2 R1 J  M; W: X# c' z# E( N/ I% t, k9 d3 o% y# c
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)8 }( S' }0 ~2 K& C( O
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
4 b4 [9 @& [1 o' h  j5 V7 E+ ?# [+ j6 ], {! z
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的9 g9 `& O! L  G7 Z) @; V+ B# R
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:5 G; j* ^. D& N: [( d! W6 z

( j9 u( l# @, I他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。% W% i( f! d0 Z9 F" M
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
9 Y$ k" _5 {* [% T" K$ h5 n# t# o針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。+ x7 b3 w1 x+ U
' c. v: z$ ^  _- m( k$ @% @) Z. }
1 S# H( O8 n8 @
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
% x2 e. t1 z4 w. u! p  I他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12$ m8 v! {0 h0 R( b: k! f
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
7 L5 I2 |8 y6 r$ c4 p: _& x我的原案是" f- X* H* ^" M& B; L0 x/ }
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
5 f6 m0 j7 n" x% L因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。3 F$ p! U, K9 |4 P
我考慮是
. c8 u: E  t) s1 C1 yM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
5 z, Z6 b1 n9 O! ^+ p) B( {, [有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。
3 ~: |0 `8 [! N或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
; c( X% t  u5 B6 R( e. t* o0 A哪個誤差量最少,就使用哪一種。. @. }2 s' E, Z/ e) |

% t2 U5 Y5 R" J[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
$ P. T2 h5 q2 C) k0 a. X4 O+ c一般我會用C,不考慮面積E也行
$ Y3 E( }8 f1 c& c7 d; e7 [製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
# a5 P) `6 }$ F6 Omatch是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
( b: {! t: Y; h" [6 w& L2 P& P但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好: \& `$ I' z7 K6 s
% i: F7 x1 @% I6 N4 t6 R5 W
可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好6 _" ]9 Z/ `1 H7 v. I

6 W# E9 \6 h) S. B- S! c"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
$ b" X6 K7 Y" ]
" d) }6 l5 C2 D; R( ^E的match效果 從製程方面去看 算是比較好
6 G1 R- U! g0 W- C; T
& O- C( U- L4 q0 H& e不過 要用到2層M" Q6 P; z7 o  [( x8 @
7 T3 W: R" g2 \2 D3 e. l9 h
是不建議 用POLY去做連線
8 x. v6 z: Q5 s9 a+ U
) o- _. x5 P6 l- n( W, Q9 z+ d+ [就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
8 Y/ y- y& p2 w  E& O6 \; E
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份- G: Q3 E3 w  D' ?* N& D
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
; \  a) E: o- \' w+ Z且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小9 M+ P% K" P5 c* i4 b, F( L( D! T$ H
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
5 W. v& x) b9 `* d3 Y; q7 V2 v做速度較快的電路時,差異更明顯,( O3 R8 Z; ~9 G
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
/ T1 A3 P' {2 _; m電容的萃取,都是單獨計算,會比較大7 m) D" `& f% T1 F  R* w
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
. x+ h6 _% w( q% p# ^! C- o1 F而變慢,* s! \1 {* h1 P$ V
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
; _7 X: K% }1 l- c' c) kmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
# F! V4 G9 F  x比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
) G" N0 a. O9 A3 ]: X7 H, [問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
  u4 c0 |# X: J/ Y0 e* \在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
2 ?. B0 \3 E% c3 q
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
& Q7 w" g" V! W8 J/ M- _
# n9 H, {* f& K# Q/ q
, r3 |& w& K/ f7 M  |
6 L7 s$ m6 D& D) ~1 {# L* tQQ?房器
: B4 d# X3 `( P2 V5 \' Y
  y, X3 x( U' T( s李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@ 1 c) W# n* S# K8 u4 [2 |
可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎 7 f* `) H# ?' t% v
還是是我自己or 系統的問題
& w. f+ a0 R6 m) [謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
) q1 j1 c7 s- ^" w, y/ s! ^只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
7 U4 j6 p! z5 N% D我再重貼一遍; L) S8 U8 c2 B/ T0 W1 P" u" M3 f% N
*********************************************************************************
9 N! W% `- R) H+ A各 ...

: i" h0 e/ m0 L5 S& e6 a" L; |謝謝大大的圖文解說,受益良多, p7 C! g& L+ Q: p
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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