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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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23#
發表於 2016-1-19 22:25:50 | 只看該作者
大電流的地方就要45度
7 J  w. d+ E. |5 A如果都是DC,那就免了
22#
發表於 2016-1-9 04:45:12 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多
21#
發表於 2012-5-13 20:52:54 | 只看該作者
感謝大大分享經驗~~學到很多
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
& M9 g+ q0 u' z+ r+ \: v9 h* G我同學做SAR ADC因為速度慢
% K, q, y4 O" Q/ x2 }. i繞線其實有接到就好了
3 P" Y' N+ s9 R: Y/ ^直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
+ d& {% l9 _& |. r' q# h做sheilding保護敏感的訊號比較重要
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下' e: E7 f4 k8 P1 s# a
又學到好多事物+ D) S' u3 p, }! x2 n( }5 }
第一次知道layout可以90度以外6 o: }( M+ U& Z3 N' o( v) O3 j
謝謝!
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
+ K) d5 \  _& s% q- n7 s4 _
0 C1 Y# u$ p( f, p$ a得到以下結論$ s2 F: Y0 z0 _  O  p
% _/ v+ y. i+ Q) \
目前的製程技術已經到哪邊了???
: G4 M) y$ s6 w3 R你所需要的製程技術是否需要???
% f8 }6 [1 U" J0 p+ xDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
. u; [7 I6 @  E% e+ [) ^
) D4 S! |  x7 m: {) `. D$ w7 o其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
6 \+ Q8 l) L" G. U, x$ {' d7 \  V5 Z" ^/ E
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強3 _. M6 P/ @6 m6 i% S. s& [3 s% O4 x

( T5 Y  c2 u3 i: ~  ^所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
) w# E1 I2 |# @
$ F$ D$ b! {+ ]' n& R, S* X重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
3 Z" G; H. H! @% M" y9 e
  H8 }: t. x: O如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 5 Y+ }" o8 L8 d3 {+ d
1.DRC 檢查軟體運算時間++
" }1 i1 j2 H) \/ b* a0 ^2.RC Extraction 不準 運算時間+++9 _8 s% _9 V; f" l7 [
3.P&R 時間 +++, V8 f% }7 j) D' y, h. m
4.最重要的原因 製程良率 ----
3 P/ j  b( [6 G* J! q( [+ n" {1 N
( k/ |* D- A" R: p* X9 [! ZCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0( O8 x8 b; h) `; X; B
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
2 `, P9 o8 J9 |. m) E; v# G2 o所以 90度角 還是證明他的價值存在
& H2 B  I  K5 b* E* j* U! l7 c9 l  e
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況7 N; B! n( E  O9 S5 W6 [4 w' K2 b
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
) S& F! Z7 p9 m但是 45度斜角  有時是電流的關係
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題) G( Q" Z0 b9 e# y6 w

6 w% i5 `; T+ }& i6 l$ i( rOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.9 F. G4 }/ j+ x0 n# E
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
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