請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve

: W6 g: Z7 H: k% Y' A但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值

8 _0 H- K, D3 Z% |6 D供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
. _( ]: w. J. M$ i
3 C6 o) g, J% W  [, N6 ~1 s+ g0 O這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多
: v9 V, {& I! z2 {3 d; V9 E3 T- w% c
+ R8 \) S0 l3 k; p, \; rNMOS還在0.75左右

1 @% ~8 p. N$ i- d

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
) z  Y$ [3 q( |* v. K& L最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
7 y9 z. ^% b- b# D一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
; F/ M) v8 k3 T/ Q; y$ q氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
4 T9 q1 L( H- o, q從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

. Y# P1 P: T+ ymodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
1 b0 e+ L' b0 W/ O' K# }4 }而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
7 G; E" y* c0 u' q  U3.3v 遠大於 0.7V
4 c! J3 o9 |0 A& f" J其實不用太Care

VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？